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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18SJ-25:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18SJ-25:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CSJ-25:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18CSJ-25:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CSJ-25:B
仓库库存编号：
MT49H16M18CSJ-25:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18SJ-25 IT:B
仓库库存编号：
MT49H16M18SJ-25 IT:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CSJ-25 IT:B
仓库库存编号：
MT49H16M18CSJ-25 IT:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 200MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CFM-5 IT
仓库库存编号：
MT49H16M18CFM-5 IT-ND
别名：Q2967681
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18FM-25 TR
仓库库存编号：
MT49H16M18FM-25 TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 300MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18FM-33 TR
仓库库存编号：
MT49H16M18FM-33 TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18SJ-25:B
仓库库存编号：
557-1587-ND
别名：557-1587
MT49H16M18BM-25:B
MT49H16M18BM-25:B-ND
MT49H16M18BM-33:B
MT49H16M18BM-33:B-ND
MT49H16M18SJ-25:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18FM-25:B
仓库库存编号：
MT49H16M18FM-25:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 300MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-33
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-33-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 300MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-33 TR
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-33 TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-25 IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-25 IT:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-25:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-25:B TR-ND
别名：MT49H16M18BM-33:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CBM-25 IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18CBM-25 IT:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CBM-25:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18CBM-25:B TR-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 533MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 533MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-18:B
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-18:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-25 IT:B
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-25 IT:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18CBM-25:B
仓库库存编号：
MT49H16M18CBM-25:B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC18160-25B
仓库库存编号：
IS49NLC18160-25B-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC18160-25BI
仓库库存编号：
IS49NLC18160-25BI-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC18160-25BL
仓库库存编号：
IS49NLC18160-25BL-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC18160-25BLI
仓库库存编号：
IS49NLC18160-25BLI-ND
规格：存储容量 288Mb （16M x 18）,
无铅
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