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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9SJ-25E:B TR
仓库库存编号：
MT49H64M9SJ-25E:B TR-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9SJ-25E:B
仓库库存编号：
MT49H64M9SJ-25E:B-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9BM-25:B TR
仓库库存编号：
MT49H64M9BM-25:B TR-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9BM-25:B
仓库库存编号：
MT49H64M9BM-25:B-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9CBM-25E:B
仓库库存编号：
MT49H64M9CBM-25E:B-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-25B
仓库库存编号：
IS49NLC96400-25B-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-25BI
仓库库存编号：
IS49NLC96400-25BI-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-25BL
仓库库存编号：
IS49NLC96400-25BL-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-25BLI
仓库库存编号：
IS49NLC96400-25BLI-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-33B
仓库库存编号：
IS49NLC96400-33B-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-33BI
仓库库存编号：
IS49NLC96400-33BI-ND
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IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-33BL
仓库库存编号：
IS49NLC96400-33BL-ND
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无铅
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IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLC96400-33BLI
仓库库存编号：
IS49NLC96400-33BLI-ND
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IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLS96400-25B
仓库库存编号：
IS49NLS96400-25B-ND
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IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
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IS49NLS96400-25BI
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IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
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IS49NLS96400-25BL
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IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA
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型号：
IS49NLS96400-25BLI
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IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
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型号：
IS49NLS96400-33B
仓库库存编号：
IS49NLS96400-33B-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
含铅
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IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLS96400-33BI
仓库库存编号：
IS49NLS96400-33BI-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
含铅
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IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLS96400-33BL
仓库库存编号：
IS49NLS96400-33BL-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
无铅
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IC DRAM 576MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA（11x18.5）
型号：
IS49NLS96400-33BLI
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规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
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IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9FM-25:B
仓库库存编号：
MT49H64M9FM-25:B-ND
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IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9FM-25:B TR
仓库库存编号：
MT49H64M9FM-25:B TR-ND
规格：存储容量 576Mb （64M x 9）,
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IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （64M x 9） 并联 400MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H64M9FM-25E:B
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