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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.4ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-6BLI
仓库库存编号：
IS42S32160C-6BLI-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.4ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS42S32160C-6BLI-TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-75BL
仓库库存编号：
706-1285-ND
别名：706-1285
IS42S32160C-75BL-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-75BL-TR
仓库库存编号：
IS42S32160C-75BL-TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-75BLI
仓库库存编号：
706-1284-ND
别名：706-1284
IS42S32160C-75BLI-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-75BLI-TR
仓库库存编号：
IS42S32160C-75BLI-TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 152VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 152-VFBGA（14x14）
型号：
MT46H16M32LFCG-6 IT:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCG-6 IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 152VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 152-VFBGA（14x14）
型号：
MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT46H16M32LFCM-5 IT:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCM-5 IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-5 IT:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-5 IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-5:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-5:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-5:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-5:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-6 IT:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-6 IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-6:B
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-6:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H16M32LFCX-6:B TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFCX-6:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT48H16M32LFCM-6 IT:B
仓库库存编号：
MT48H16M32LFCM-6 IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B
仓库库存编号：
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5ns 90-VFBGA（10x13）
型号：
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR
仓库库存编号：
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR-ND
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.4ns 90-WBGA（8x13）
型号：
IS42S32160C-6BI
仓库库存编号：
IS42S32160C-6BI-ND
别名：Q5246106
规格：存储容量 512Mb （16M x 32）,
含铅
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