规格：特性 高电压，脉冲耐受,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTC1M00
仓库库存编号：
HVCB2512JTC1M00-ND
别名：HVCB 2512 T2 1M 5% R
HVCB2512T21M5%R
HVCB2512T21M5%R-ND
HVCB2512T21MJR
HVCB2512T21MJR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTC3M00
仓库库存编号：
HVCB2512JTC3M00-ND
别名：HVCB 2512 T2 3M 5% R
HVCB2512T23M5%R
HVCB2512T23M5%R-ND
HVCB2512T23MJR
HVCB2512T23MJR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKC10M0
仓库库存编号：
HVCB2512JKC10M0-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 240K OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTC240K
仓库库存编号：
HVCB2512JTC240K-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTC10M0
仓库库存编号：
HVCB2512JTC10M0-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD100M
仓库库存编号：
HVCB2010FTD100M-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2512FKL10M0-ND
别名：HVCB 2512 T0 10M 1% I
HVCB2512T010M1%I
HVCB2512T010M1%I-ND
HVCB2512T010MFI
HVCB2512T010MFI-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 200M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKD200M
仓库库存编号：
HVCB2512JKD200M-ND
别名：HVCB 2512 T1 200M 5% I
HVCB2512T1200M5%I
HVCB2512T1200M5%I-ND
HVCB2512T1200MJI
HVCB2512T1200MJI-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 5.9M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKL5M90
仓库库存编号：
HVCB2512FKL5M90-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JDL100K
仓库库存编号：
HVCB2010JDL100K-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 400M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD400M
仓库库存编号：
HVCB2010FTD400M-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKC249K
仓库库存编号：
HVCB2010FKC249K-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKC301K
仓库库存编号：
HVCB2010FKC301K-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKD100K
仓库库存编号：
HVCB2512FKD100K-ND
别名：HVCB 2512 T1 100K 1% I
HVCB2512T1100K1%I
HVCB2512T1100K1%I-ND
HVCB2512T1100KFI
HVCB2512T1100KFI-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKD10M0
仓库库存编号：
HVCB2512FKD10M0-ND
别名：HVCB 2512 T1 10M 1% I
HVCB2512T110M1%I
HVCB2512T110M1%I-ND
HVCB2512T110MFI
HVCB2512T110MFI-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FTD10M0
仓库库存编号：
HVCB2512FTD10M0-ND
别名：HVCB 2512 T1 10M 1% R
HVCB2512T110M1%R
HVCB2512T110M1%R-ND
HVCB2512T110MFR
HVCB2512T110MFR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 150K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FTD150K
仓库库存编号：
HVCB2512FTD150K-ND
别名：HVCB 2512 T1 150K 1% R
HVCB2512T1150K1%R
HVCB2512T1150K1%R-ND
HVCB2512T1150KFR
HVCB2512T1150KFR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FTD1M00
仓库库存编号：
HVCB2512FTD1M00-ND
别名：HVCB 2512 T1 1M 1% R
HVCB2512T11M1%R
HVCB2512T11M1%R-ND
HVCB2512T11MFR
HVCB2512T11MFR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3.3M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKD3M30
仓库库存编号：
HVCB2512FKD3M30-ND
别名：HVCB 2512 T1 3.3M 1% I
HVCB2512T13.3M1%I
HVCB2512T13.3M1%I-ND
HVCB2512T13.3MFI
HVCB2512T13.3MFI-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FTD3K00
仓库库存编号：
HVCB2512FTD3K00-ND
别名：HVCB 2512 T1 3K 1% R
HVCB2512T13K1%R
HVCB2512T13K1%R-ND
HVCB2512T13KFR
HVCB2512T13KFR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKD4M00
仓库库存编号：
HVCB2512FKD4M00-ND
别名：HVCB 2512 T1 4M 1% I
HVCB2512T14M1%I
HVCB2512T14M1%I-ND
HVCB2512T14MFI
HVCB2512T14MFI-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 5M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FTD5M00
仓库库存编号：
HVCB2512FTD5M00-ND
别名：HVCB 2512 T1 5M 1% R
HVCB2512T15M1%R
HVCB2512T15M1%R-ND
HVCB2512T15MFR
HVCB2512T15MFR-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKD4M00-PB
仓库库存编号：
HVCB2512FKD4M00-PB-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
含铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 560 OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKD560R
仓库库存编号：
HVCB2512FKD560R-ND
规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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RES SMD 10K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
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HVCB2512FKD10K0
仓库库存编号：
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规格：特性 高电压，脉冲耐受,
无铅
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