以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Texas Instruments
  IC MEMORY 16X5 ASYNCH 20-DIP
  
  型号：SN74ALS229BN
  仓库库存编号：SN74ALS229BN-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC FIFO ASYNC 4X16 16SOIC
  
  型号：SN74ALS232BDWR
  仓库库存编号：SN74ALS232BDWR-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC FIFO ASYNC 4X16 20PLCC
  
  型号：SN74ALS232BFN
  仓库库存编号：SN74ALS232BFN-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC FIFO ASYNC 4X16 20PLCC
  
  型号：SN74ALS232BFNR
  仓库库存编号：SN74ALS232BFNR-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 30ns 48-TSOP
  
  型号：NAND01GW3B2AN6F
  仓库库存编号：NAND01GW3B2AN6F-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 30ns 48-TSOP
  
  型号：NAND01GW4B2AN6E
  仓库库存编号：NAND01GW4B2AN6E-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IC FLASH 2GBIT 50NS 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 30ns 48-TSOP
  
  型号：NAND02GW3B2AN6F
  仓库库存编号：NAND02GW3B2AN6F-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 30ns 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：NAND01GR3B2BZA6E
  仓库库存编号：NAND01GR3B2BZA6E-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 30ns 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：NAND01GW3B2BZA6E
  仓库库存编号：NAND01GW3B2BZA6E-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IC DRAM 16MBIT 60NS 26SOJ
  详细描述：DRAM 存储器 IC 16Mb （4M x 4） 并联 30ns
  
  型号：MSM5117400F-60J3-7
  仓库库存编号：MSM5117400F-60J3-7-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IC DRAM 16MBIT 60NS 26SOJ
  详细描述：DRAM 存储器 IC 16Mb （4M x 4） 并联 30ns
  
  型号：MSM5117405F-60J3-7
  仓库库存编号：MSM5117405F-60J3-7-ND
  别名：MSM5117405F60J37
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
  详细描述：DRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 30ns
  
  型号：MSM5118160F-60J3-7
  仓库库存编号：MSM5118160F-60J3-7-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
  详细描述：DRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 30ns 42-SOJ
  
  型号：MSM5118165F-60J3-7
  仓库库存编号：MSM5118165F-60J3-7-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
  详细描述：DRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 30ns 42-SOJ
  
  型号：MSM51V18165F-60J3-7
  仓库库存编号：MSM51V18165F-60J3-7-ND
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
  详细描述：DRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 30ns 50-TSOP
  
  型号：MSM51V18165F-60T3
  仓库库存编号：MSM51V18165F-60T3-ND
  别名：MSM51V18165F-60T3K-7
  MSM51V18165F-60T3K-7-ND
  MSM51V18165F-60T3KMT
  MSM51V18165F-60T3KMT-ND
  MSM51V18165F60T3
  
  规格：访问时间 30ns,
• 无铅
• 搜索