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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA
型号：
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号：
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
IS42S16800F-7BLI-TR
仓库库存编号：
IS42S16800F-7BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GG8KB-11 TR
仓库库存编号：
W631GG8KB-11 TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb （1M x 32） 并联 5.5ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
IS42SM32100D-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS42SM32100D-6BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 6ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
IS42VM16200D-75BLI-TR
仓库库存编号：
IS42VM16200D-75BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号：
IS42S81600F-6TL
仓库库存编号：
IS42S81600F-6TL-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 6ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
IS42RM16200D-75BLI
仓库库存编号：
IS42RM16200D-75BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号：
IS42S16160G-7TL-TR
仓库库存编号：
IS42S16160G-7TL-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
IS42S16800F-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS42S16800F-6BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
仓库库存编号：
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 20NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
仓库库存编号：
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
仓库库存编号：
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号：
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 20NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
仓库库存编号：
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号：
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W631GU6KB-12
仓库库存编号：
W631GU6KB-12-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W631GU6KB-15
仓库库存编号：
W631GU6KB-15-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GG8KB-12
仓库库存编号：
W631GG8KB-12-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GG8KB-15
仓库库存编号：
W631GG8KB-15-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GU8KB-12
仓库库存编号：
W631GU8KB-12-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GU8KB-15
仓库库存编号：
W631GU8KB-15-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
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ON Semiconductor
IC SRAM 1MBIT 20MHZ 8TSSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 8-TSSOP
型号：
N01S830HAT22IT
仓库库存编号：
N01S830HAT22IT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号：
IS42S16160J-7TL
仓库库存编号：
IS42S16160J-7TL-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TFBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
W9812G6JB-6
仓库库存编号：
W9812G6JB-6-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号：
IS42S16160G-6TL-TR
仓库库存编号：
IS42S16160G-6TL-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
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