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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 50MHZ 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （1G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G01AAADDH4-IT:D
  仓库库存编号：MT29F1G01AAADDH4-IT:D-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
  仓库库存编号：MT29F1G08ABBDAH4-IT:D-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
  仓库库存编号：MT29F1G08ABBDAHC-IT:D-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
  仓库库存编号：MT29F1G16ABBDAH4-IT:D-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29F1G16ABBDAHC-IT:D
  仓库库存编号：MT29F1G16ABBDAHC-IT:D-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 50MHZ 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （1G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G01AAADDH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G01AAADDH4-IT:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS42S16160G-6TLI-TR
  仓库库存编号：IS42S16160G-6TLI-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 86-TSOP II
  
  型号：IS42S32200L-7TLI-TR
  仓库库存编号：IS42S32200L-7TLI-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS42S16160G-6TL
  仓库库存编号：IS42S16160G-6TL-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 86TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 4.8ns 86-TSOP II
  
  型号：IS42S32200L-5TL
  仓库库存编号：IS42S32200L-5TL-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 86-TSOP II
  
  型号：IS45S32200L-7TLA1
  仓库库存编号：IS45S32200L-7TLA1-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 60BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 60-TFBGA（6.4x10.1）
  
  型号：IS42S16400J-7B2LI-TR
  仓库库存编号：IS42S16400J-7B2LI-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256MBIT 108MHZ 8VPDFN
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （64M x 4） SPI 100-LBGA（14x18）
  
  型号：N25W256A11EF840E
  仓库库存编号：N25W256A11EF840E-ND
  
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC 128M FLASH MEMORY
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） SPI - 四 I/O， QPI 8-SO
  
  型号：S25FS128SAGMFV100
  仓库库存编号：S25FS128SAGMFV100-ND
  
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42S16160G-7BL-TR
  仓库库存编号：IS42S16160G-7BL-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32200L-7BL-TR
  仓库库存编号：IS42S32200L-7BL-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABADAH4-ITX:D
  仓库库存编号：MT29F1G08ABADAH4-ITX:D-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 64MBIT 108MHZ 52BGA
  详细描述：FLASH，PSRAM 存储器 IC 64Mb 闪存，32Mb RAM 并联 52-VFRBGA（6x5）
  
  型号：S71VS064RB0AHT4L0
  仓库库存编号：S71VS064RB0AHT4L0-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS42S16160J-6TLI
  仓库库存编号：IS42S16160J-6TLI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90TFBGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：W9864G2JB-6
  仓库库存编号：W9864G2JB-6-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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