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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GU6KB-15 TR
  仓库库存编号：W632GU6KB-15 TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42S16160G-6BL
  仓库库存编号：IS42S16160G-6BL-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32200L-6BL
  仓库库存编号：IS42S32200L-6BL-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 6ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42VM32200M-75BLI-TR
  仓库库存编号：IS42VM32200M-75BLI-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC 128M FLASH MEMORY
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） SPI - 四 I/O 8-WSON（6x8）
  
  型号：S25FL128SDSNFI000
  仓库库存编号：S25FL128SDSNFI000-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 80MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SDSMFBG03
  仓库库存编号：S25FL256SDSMFBG03-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16400J-7TLA2
  仓库库存编号：IS45S16400J-7TLA2-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.5ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42VM16400M-6BLI
  仓库库存编号：IS42VM16400M-6BLI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 133MHZ 24BGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 24-BGA（6x8）
  
  型号：S25FL256SAGBHIZ00
  仓库库存编号：S25FL256SAGBHIZ00-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 133MHZ 24BGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O， QPI 24-BGA（6x8）
  
  型号：S25FS256SAGBHI300
  仓库库存编号：S25FS256SAGBHI300-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42S16160J-6BLI
  仓库库存编号：IS42S16160J-6BLI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS42S83200J-6TL
  仓库库存编号：IS42S83200J-6TL-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS42S83200J-7TL
  仓库库存编号：IS42S83200J-7TL-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 64KBIT 3.4MHZ 8SOIC
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） I2C 8-SOIC
  
  型号：CY14ME064J2A-SXIT
  仓库库存编号：CY14ME064J2A-SXIT-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 133MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SAGMFAG10
  仓库库存编号：S25FL256SAGMFAG10-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 133MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SAGMFIG10
  仓库库存编号：S25FL256SAGMFIG10-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 66MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SDPMFIG00
  仓库库存编号：S25FL256SDPMFIG00-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 80MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SDSMFI000
  仓库库存编号：S25FL256SDSMFI000-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 133MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SAGMFIG11
  仓库库存编号：S25FL256SAGMFIG11-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 66MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SDPMFIG01
  仓库库存编号：S25FL256SDPMFIG01-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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  IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TFBGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：W9812G6JB-6I
  仓库库存编号：W9812G6JB-6I-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16800F-7TLA1
  仓库库存编号：IS45S16800F-7TLA1-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45S16400J-7BLA1-TR
  仓库库存编号：IS45S16400J-7BLA1-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 6ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42SM32200M-75BLI-TR
  仓库库存编号：IS42SM32200M-75BLI-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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