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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA
  
  型号：MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
  仓库库存编号：MT29F2G08ABBEAH4-IT:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （2G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G01AAAEDH4-IT:E
  仓库库存编号：MT29F2G01AAAEDH4-IT:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
  仓库库存编号：MT29F2G16ABBEAH4-IT:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA
  
  型号：MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
  仓库库存编号：MT29F2G08ABBEAHC-IT:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32200L-6BLI-TR
  仓库库存编号：IS42S32200L-6BLI-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS45S32200L-7BLA1-TR
  仓库库存编号：IS45S32200L-7BLA1-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90TFBGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：W9864G2JB-6I
  仓库库存编号：W9864G2JB-6I-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 7.5NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 ZBT 存储器 IC 4.5Mb （256K x 18） 并联 7.5ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V3559S75PFG8
  仓库库存编号：71V3559S75PFG8-ND
  别名：IDT71V3559S75PFG8
  IDT71V3559S75PFG8-ND
  
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42SM32200M-6BLI
  仓库库存编号：IS42SM32200M-6BLI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC FLASH 512MBIT 104MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） SPI 16-SOIC
  
  型号：W25M512JVFIQ
  仓库库存编号：W25M512JVFIQ-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32400F-6BL-TR
  仓库库存编号：IS42S32400F-6BL-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 2Mb （64K x 32） 并联 7ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V632S7PFG
  仓库库存编号：800-1485-ND
  别名：800-1485
  IDT71V632S7PFG
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 2Mb （64K x 32） 并联 6ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V632S6PFG
  仓库库存编号：71V632S6PFG-ND
  别名：IDT71V632S6PFG
  IDT71V632S6PFG-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 4.2ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V3576S133PFG8
  仓库库存编号：71V3576S133PFG8-ND
  别名：IDT71V3576S133PFG8
  IDT71V3576S133PFG8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 150MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 3.8ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V3576S150PFG8
  仓库库存编号：71V3576S150PFG8-ND
  别名：IDT71V3576S150PFG8
  IDT71V3576S150PFG8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 6.5NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 6.5ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V3577S65PFG8
  仓库库存编号：71V3577S65PFG8-ND
  别名：IDT71V3577S65PFG8
  IDT71V3577S65PFG8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45S16400J-6BLA1
  仓库库存编号：IS45S16400J-6BLA1-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABAEAH4:E TR
  仓库库存编号：MT29F4G08ABAEAH4:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABBEAH4:E TR
  仓库库存编号：MT29F4G08ABBEAH4:E TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABAEAH4:E
  仓库库存编号：MT29F4G08ABAEAH4:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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