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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABBEAH4:E
  仓库库存编号：MT29F4G08ABBEAH4:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16160J-6TLA1 -TR
  仓库库存编号：IS45S16160J-6TLA1 -TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32200L-7BLI
  仓库库存编号：IS42S32200L-7BLI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 166MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 3.5ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V35761S166PFG
  仓库库存编号：71V35761S166PFG-ND
  别名：IDT71V35761S166PFG
  IDT71V35761S166PFG-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 64KBIT 3.4MHZ 8SOIC
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） I2C 8-SOIC
  
  型号：CY14ME064J2A-SXI
  仓库库存编号：CY14ME064J2A-SXI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FRAM 256KBIT 40MHZ 8TDFN
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） SPI 8-DFN（4.5x4）
  
  型号：FM25V02A-DGQTR
  仓库库存编号：FM25V02A-DGQTR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W632GU8KB12I TR
  仓库库存编号：W632GU8KB12I TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W632GU8KB15I TR
  仓库库存编号：W632GU8KB15I TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FRAM 128KBIT 3.4MHZ 8SOIC
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 128Kb （16K x 8） I2C 130ns 8-SOIC
  
  型号：FM24V01-G
  仓库库存编号：428-3194-ND
  别名：428-3194
  FM24V01G
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16400J-7CTLA2-TR
  仓库库存编号：IS45S16400J-7CTLA2-TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （2G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E
  仓库库存编号：MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E
  仓库库存编号：MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
  仓库库存编号：MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
  仓库库存编号：MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （2G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
  仓库库存编号：MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR-ND
  
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• Winbond Electronics
  IC PSRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 70ns 54-VFBGA（6x8）
  
  型号：W958D6DBCX7I TR
  仓库库存编号：W958D6DBCX7I TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC PSRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 70ns 54-VFBGA（6x8）
  
  型号：W968D6DAGX7I TR
  仓库库存编号：W968D6DAGX7I TR-ND
  
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  IC FLASH 512MBIT 104MHZ 8WSON
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） SPI 8-WSON（8x6）
  
  型号：W25M512JVEIQ
  仓库库存编号：W25M512JVEIQ-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 66MHZ 24BGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 24-BGA（6x8）
  
  型号：S25FL256SDPBHBC00
  仓库库存编号：S25FL256SDPBHBC00-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 134VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 134-VFBGA（10x11.5）
  
  型号：EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
  仓库库存编号：EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-ND
  别名：EDB5432BEBH-1DAAT-F-R
  EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 168WFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 168-WFBGA（12x12）
  
  型号：EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR
  仓库库存编号：EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR-ND
  别名：EDB5432BEPA-1DAAT-F-R
  EDB5432BEPA-1DAAT-F-R-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 256MBIT 133MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） SPI - 四 I/O 16-SOIC
  
  型号：S25FL256SAGMFBG00
  仓库库存编号：S25FL256SAGMFBG00-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 -,
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