规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 256MBIT 100NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 100ns 56-TSOP
型号：
S29GL256P10TFI020
仓库库存编号：
S29GL256P10TFI020-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-100+
仓库库存编号：
DS1230Y-100+-ND
别名：DS1230Y100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-100+
仓库库存编号：
DS1245Y-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 128MBIT 100NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 100ns 56-TSOP
型号：
S29GL128P10TFI020
仓库库存编号：
S29GL128P10TFI020-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 100NS 52PLCC
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 100ns 52-PLCC（19.13x19.13）
型号：
7130SA100J
仓库库存编号：
800-2123-ND
别名：IDT7130SA100J
IDT7130SA100J-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AD-100+
仓库库存编号：
DS1220AD-100+-ND
别名：DS1220AD100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-100+
仓库库存编号：
DS1230AB-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 128MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 100ns 64 球加强型 BGA（13x11）
型号：
S29GL128P10FFI010
仓库库存编号：
S29GL128P10FFI010-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
S29GL256P10FFI020
仓库库存编号：
S29GL256P10FFI020-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
S29GL256P10FFI010
仓库库存编号：
S29GL256P10FFI010-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AD-100IND+
仓库库存编号：
DS1220AD-100IND+-ND
别名：DS1220AD100IND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230W-100+
仓库库存编号：
DS1230W-100+-ND
别名：DS1230W100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1345YP-100+
仓库库存编号：
DS1345YP-100+-ND
别名：DS1345YP100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 128MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 100ns 64 球加强型 BGA（13x11）
型号：
S29GL128P10FFI020
仓库库存编号：
S29GL128P10FFI020-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 100ns 48-PDIP
型号：
7130LA100PDG
仓库库存编号：
800-3388-ND
别名：800-3388
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 48-PDIP
型号：
7132LA100PDG
仓库库存编号：
800-3389-ND
别名：800-3389
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1350WP-100IND+
仓库库存编号：
DS1350WP-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1250ABP-100+
仓库库存编号：
DS1250ABP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 256MBIT 100NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 100ns 56-TSOP
型号：
S29GL256P10TFI013
仓库库存编号：
1274-1200-1-ND
别名：1274-1200-1
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F512M29EWHA
仓库库存编号：
PC28F512M29EWHA-ND
别名：904338
904338-ND
PC28F512M29EWH S LGZD
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F512P30BFA
仓库库存编号：
557-1619-ND
别名：557-1619
902789
902789-ND
PC28F512P30BF 902789
PC28F512P30BFA-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250Y-100+
仓库库存编号：
DS1250Y-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1245AB-100+
仓库库存编号：
DS1245AB-100+-ND
别名：DS1245AB100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1249Y-100#
仓库库存编号：
DS1249Y-100#-ND
别名：DS1249Y100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1330WP-100+
仓库库存编号：
DS1330WP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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