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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1330YP-100+
  仓库库存编号：DS1330YP-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1345WP-100+
  仓库库存编号：DS1345WP-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1345WP-100IND+
  仓库库存编号：DS1345WP-100IND+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1245W-100+
  仓库库存编号：DS1245W-100+-ND
  别名：DS1245W100
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1245WP-100IND+
  仓库库存编号：DS1245WP-100IND+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250W-100+
  仓库库存编号：DS1250W-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250AB-100+
  仓库库存编号：DS1250AB-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250AB-100IND+
  仓库库存编号：DS1250AB-100IND+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1350WP-100+
  仓库库存编号：DS1350WP-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250Y-100IND+
  仓库库存编号：DS1250Y-100IND+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1250WP-100IND+
  仓库库存编号：DS1250WP-100IND+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265AB-100+
  仓库库存编号：DS1265AB-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Intel
  IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
  详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
  
  型号：GT28F320B3BA100
  仓库库存编号：823191-ND
  别名：823191
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 128MBIT 100NS 56TSOP
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 100ns 56-TSOP
  
  型号：S29GL128P10TFI010
  仓库库存编号：S29GL128P10TFI010-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
  
  型号：DS1220AB-100+
  仓库库存编号：DS1220AB-100+-ND
  别名：DS1220AB100
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Intel
  IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
  详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
  
  型号：GT28F320B3TA100
  仓库库存编号：823197-ND
  别名：823197
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Intel
  IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
  详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
  
  型号：GT28F320C3BA100SB93
  仓库库存编号：823207-ND
  别名：823207
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Intel
  IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
  详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
  
  型号：GT28F320C3TA100SB93
  仓库库存编号：823213-ND
  别名：823213
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
  
  型号：PC28F256M29EWHB TR
  仓库库存编号：PC28F256M29EWHB TR-ND
  别名：PC28F256M29EWHB
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256MBIT 100NS VFBGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns
  
  型号：PN28F256M29EWHA
  仓库库存编号：PN28F256M29EWHA-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
  
  型号：PC28F256M29EWHA
  仓库库存编号：PC28F256M29EWHA-ND
  别名：902050
  902050-ND
  PC28F256M29EWH 902050
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
  
  型号：PC28F256M29EWLA
  仓库库存编号：PC28F256M29EWLA-ND
  别名：898962
  898962-ND
  PC28F256M29EWL 898962
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
  
  型号：PC28F512M29EWHE TR
  仓库库存编号：PC28F512M29EWHE TR-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
  
  型号：PC28F512M29EWHF
  仓库库存编号：PC28F512M29EWHF-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
  
  型号：PC28F512M29EWHB TR
  仓库库存编号：PC28F512M29EWHB TR-ND
  别名：PC28F512M29EWHB
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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