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Macronix
IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 100ns 56-TSOP
型号：
MX29GL512ELT2I-10Q
仓库库存编号：
1092-1054-ND
别名：1092-1054
MX29GL512ELT2I10Q
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F512P30BFB TR
仓库库存编号：
PC28F512P30BFB TR-ND
别名：PC28F512P30BFB
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F512P30TFB TR
仓库库存编号：
PC28F512P30TFB TR-ND
别名：PC28F512P30TFB
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F512P30TFA
仓库库存编号：
PC28F512P30TFA-ND
别名：904391
904391-ND
PC28F512P30TF 904391
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F512P30EFA
仓库库存编号：
PC28F512P30EFA-ND
别名：904392
904392-ND
PC28F512P30EF 904392
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 100ns
型号：
PC28F512P30EFB
仓库库存编号：
PC28F512P30EFB-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 512MBIT 100NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 100ns 64-LFBGA，CSP（11x13）
型号：
MX29GL512EHXFI-10Q
仓库库存编号：
MX29GL512EHXFI-10Q-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 512MBIT 100NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 100ns 64-LFBGA，CSP（11x13）
型号：
MX29GL512ELXFI-10Q
仓库库存编号：
MX29GL512ELXFI-10Q-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 100ns 88-SCSP（11x8）
型号：
PF48F4400P0VBQEF
仓库库存编号：
PF48F4400P0VBQEF-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（10x13）
型号：
PC48F4400P0VB0EE
仓库库存编号：
PC48F4400P0VB0EE-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb （256M x 8，128M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F00BM29EWHA
仓库库存编号：
PC28F00BM29EWHA-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F00AP30TFA
仓库库存编号：
557-1624-ND
别名：557-1624
904260
904260-ND
PC28F00AP30TF 904260
PC28F00AP30TFA-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F00AP30BFA
仓库库存编号：
PC28F00AP30BFA-ND
别名：902782
902782-ND
PC28F00AP30BF 902782
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 100NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 52MHz 100ns 64-EasyBGA（8x10）
型号：
PC28F00AP30EFA
仓库库存编号：
PC28F00AP30EFA-ND
别名：904311
904311-ND
PC28F00AP30EF 904311
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AB-100IND+
仓库库存编号：
DS1220AB-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1330WP-100IND+
仓库库存编号：
DS1330WP-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1230WP-100+
仓库库存编号：
DS1230WP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230W-100IND+
仓库库存编号：
DS1230W-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1230ABP-100+
仓库库存编号：
DS1230ABP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1230YP-100+
仓库库存编号：
DS1230YP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1245WP-100+
仓库库存编号：
DS1245WP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1245W-100IND+
仓库库存编号：
DS1245W-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1245YP-100+
仓库库存编号：
DS1245YP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号：
7130SA100C
仓库库存编号：
7130SA100C-ND
别名：IDT7130SA100C
IDT7130SA100C-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号：
7130LA100C
仓库库存编号：
7130LA100C-ND
别名：IDT7130LA100C
IDT7130LA100C-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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