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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号:
7132SA100C
仓库库存编号:
7132SA100C-ND
别名:IDT7132SA100C
IDT7132SA100C-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号:
7142SA100C
仓库库存编号:
7142SA100C-ND
别名:IDT7142SA100C
IDT7142SA100C-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号:
7132LA100C
仓库库存编号:
7132LA100C-ND
别名:IDT7132LA100C
IDT7132LA100C-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号:
7142LA100C
仓库库存编号:
7142LA100C-ND
别名:IDT7142LA100C
IDT7142LA100C-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 2Mb (256K x 8) 并联 100ns 32-EDIP
型号:
DS1249W-100#
仓库库存编号:
DS1249W-100#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1250WP-100+
仓库库存编号:
DS1250WP-100+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 100ns 32-EDIP
型号:
DS1250W-100IND+
仓库库存编号:
DS1250W-100IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb (1M x 8) 并联 100ns 36-EDIP
型号:
DS1265W-100+
仓库库存编号:
DS1265W-100+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb (1M x 8) 并联 100ns 36-EDIP
型号:
DS1265W-100IND+
仓库库存编号:
DS1265W-100IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 100ns 36-EDIP
型号:
DS1270AB-100#
仓库库存编号:
DS1270AB-100#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 100ns 36-EDIP
型号:
DS1270W-100#
仓库库存编号:
DS1270W-100#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 100ns 36-EDIP
型号:
DS1270W-100IND#
仓库库存编号:
DS1270W-100IND#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 100ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4011MA-100
仓库库存编号:
296-9391-5-ND
别名:296-9391-5
BQ4011MA100
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 100ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4011YMA-100
仓库库存编号:
296-9392-5-ND
别名:296-9392-5
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 100ns 28-EDIP
型号:
DS1230AB-100
仓库库存编号:
DS1230AB-100-ND
别名:DS1230AB100
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC SRAM 16KBIT 100NS 24DIP
详细描述:SRAM 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 24-PDIP
型号:
DS2016-100
仓库库存编号:
DS2016-100-ND
别名:DS2016100
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 100ns 32-EDIP
型号:
DS1250Y-100
仓库库存编号:
DS1250Y-100-ND
别名:DS1250Y100
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 100ns 32-EDIP
型号:
DS1245Y-100
仓库库存编号:
DS1245Y-100-ND
别名:DS1245Y100
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1245YP-100
仓库库存编号:
DS1245YP-100-ND
别名:DS1245YP100
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 24-EDIP
型号:
DS1220AD-100
仓库库存编号:
DS1220AD-100-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 24-EDIP
型号:
DS1220AB-100
仓库库存编号:
DS1220AB-100-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 24-EDIP
型号:
DS1220AD-100IND
仓库库存编号:
DS1220AD-100IND-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 100ns 24-EDIP
型号:
DS1220AB-100IND
仓库库存编号:
DS1220AB-100IND-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1230YP-100
仓库库存编号:
DS1230YP-100-ND
规格:写周期时间 - 字,页 100ns,
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IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1230ABP-100
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