规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(333)
集成电路（IC）
(333)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号：
7132SA100C
仓库库存编号：
7132SA100C-ND
别名：IDT7132SA100C
IDT7132SA100C-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号：
7142SA100C
仓库库存编号：
7142SA100C-ND
别名：IDT7142SA100C
IDT7142SA100C-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号：
7132LA100C
仓库库存编号：
7132LA100C-ND
别名：IDT7132LA100C
IDT7132LA100C-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 48-SIDE BRAZED
型号：
7142LA100C
仓库库存编号：
7142LA100C-ND
别名：IDT7142LA100C
IDT7142LA100C-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1249W-100#
仓库库存编号：
DS1249W-100#-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1250WP-100+
仓库库存编号：
DS1250WP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250W-100IND+
仓库库存编号：
DS1250W-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
型号：
DS1265W-100+
仓库库存编号：
DS1265W-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
型号：
DS1265W-100IND+
仓库库存编号：
DS1265W-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
型号：
DS1270AB-100#
仓库库存编号：
DS1270AB-100#-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
型号：
DS1270W-100#
仓库库存编号：
DS1270W-100#-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
型号：
DS1270W-100IND#
仓库库存编号：
DS1270W-100IND#-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
型号：
BQ4011MA-100
仓库库存编号：
296-9391-5-ND
别名：296-9391-5
BQ4011MA100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
型号：
BQ4011YMA-100
仓库库存编号：
296-9392-5-ND
别名：296-9392-5
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-100
仓库库存编号：
DS1230AB-100-ND
别名：DS1230AB100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC SRAM 16KBIT 100NS 24DIP
详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-PDIP
型号：
DS2016-100
仓库库存编号：
DS2016-100-ND
别名：DS2016100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250Y-100
仓库库存编号：
DS1250Y-100-ND
别名：DS1250Y100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-100
仓库库存编号：
DS1245Y-100-ND
别名：DS1245Y100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1245YP-100
仓库库存编号：
DS1245YP-100-ND
别名：DS1245YP100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AD-100
仓库库存编号：
DS1220AD-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AB-100
仓库库存编号：
DS1220AB-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AD-100IND
仓库库存编号：
DS1220AD-100IND-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AB-100IND
仓库库存编号：
DS1220AB-100IND-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1230YP-100
仓库库存编号：
DS1230YP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1230ABP-100
仓库库存编号：
DS1230ABP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
