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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250AB-100
  仓库库存编号：DS1250AB-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250W-100
  仓库库存编号：DS1250W-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1350YP-100
  仓库库存编号：DS1350YP-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1350ABP-100
  仓库库存编号：DS1350ABP-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1350WP-100IND
  仓库库存编号：DS1350WP-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 72SIMM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （128K x 32，256K x 16，512K x 8） 并联 100ns 72-SIMM
  
  型号：DS2227-100
  仓库库存编号：DS2227-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265Y-100
  仓库库存编号：DS1265Y-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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  含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265AB-100
  仓库库存编号：DS1265AB-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265W-100
  仓库库存编号：DS1265W-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-LPM
  
  型号：DS1250BL-100
  仓库库存编号：DS1250BL-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-LPM
  
  型号：DS1250YL-100
  仓库库存编号：DS1250YL-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-LPM
  
  型号：DS1350YL-100
  仓库库存编号：DS1350YL-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-LPM
  
  型号：DS1350BL-100
  仓库库存编号：DS1350BL-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1270Y-100
  仓库库存编号：DS1270Y-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1270AB-100
  仓库库存编号：DS1270AB-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1270W-100
  仓库库存编号：DS1270W-100-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 16KBIT 100NS 24DIP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-DIP
  
  型号：LH5116-10
  仓库库存编号：425-1828-5-ND
  别名：425-1828-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 16KBIT 100NS 24SOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-SOP
  
  型号：LH5116NA-10
  仓库库存编号：425-1829-5-ND
  别名：425-1829-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 64KBIT 100NS 28DIP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 100ns 28-DIP
  
  型号：LH5164A-10L
  仓库库存编号：425-1830-5-ND
  别名：425-1830-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 64KBIT 100NS 28SOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 100ns 28-SOP
  
  型号：LH5164AHN-10L
  仓库库存编号：425-1832-5-ND
  别名：425-1832-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC FLASH 8MBIT 90NS 48TSOP
  详细描述：FLASH 存储器 IC 8Mb （1M x 8，512K x 16） 并联 100ns 48-TSOP
  
  型号：LH28F800BJE-PTTL90
  仓库库存编号：425-1821-ND
  别名：425-1821
  LHF80J01
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC FLASH 16MBIT 100NS 56TSOP
  详细描述：FLASH 存储器 IC 16Mb （2M x 8，1M x 16） 并联 100ns 56-TSOP
  
  型号：LH28F160S3HT-L10A
  仓库库存编号：425-1839-ND
  别名：425-1839
  LHF16KA7
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC FLASH 16MBIT 100NS 56SSOP
  详细描述：FLASH 存储器 IC 16Mb （2M x 8，1M x 16） 并联 100ns 56-SSOP
  
  型号：LH28F160S3HNS-L10
  仓库库存编号：425-1842-ND
  别名：425-1842
  LHF16KAR
  LHF16KAS
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28SOH
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-SOH
  
  型号：M48Z35AV-10MH1E
  仓库库存编号：497-2880-5-ND
  别名：497-2880-5
  M48Z35AV-10MH1
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 无铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
  
  型号：DS1230W-100IND
  仓库库存编号：DS1230W-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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