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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1245W-100IND
  仓库库存编号：DS1245W-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1249W-100IND
  仓库库存编号：DS1249W-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250AB-100IND
  仓库库存编号：DS1250AB-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250W-100IND
  仓库库存编号：DS1250W-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
  
  型号：DS1250Y-100IND
  仓库库存编号：DS1250Y-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265W-100IND
  仓库库存编号：DS1265W-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1270W-100IND
  仓库库存编号：DS1270W-100IND-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 含铅
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 16KBIT 100NS 24DIP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-DIP
  
  型号：LH5116-10F
  仓库库存编号：425-1932-5-ND
  别名：425-1932-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 无铅
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 64KBIT 100NS 28DIP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 100ns 28-DIP
  
  型号：LH5164A-10LF
  仓库库存编号：425-1933-5-ND
  别名：425-1933-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 无铅
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 64KBIT 100NS 28SOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 100ns 28-SOP
  
  型号：LH5164AHN-10LF
  仓库库存编号：425-2430-5-ND
  别名：425-2430-5
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC FLASH 16MBIT 100NS 56SSOP
  详细描述：FLASH 存储器 IC 16Mb （2M x 8，1M x 16） 并联 100ns 56-SSOP
  
  型号：LH28F160S3HNS-TV
  仓库库存编号：425-2457-ND
  别名：425-2457
  LHF16KTV
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
• 无铅
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• Sharp Microelectronics
  IC FLASH 16MBIT 100NS 56TSOP
  详细描述：FLASH 存储器 IC 16Mb （2M x 8，1M x 16） 并联 100ns 56-TSOP
  
  型号：LH28F160S3HT-TF
  仓库库存编号：425-2458-ND
  别名：425-2458
  LHF16KTF
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Sharp Microelectronics
  IC SRAM 16KBIT 100NS 24SOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-SOP
  
  型号：LH5116NA-10F
  仓库库存编号：425-2465-5-ND
  别名：425-2465-5
  LH5116N9
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• STMicroelectronics
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28SOH
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-SOH
  
  型号：M48Z35AV-10MH6F
  仓库库存编号：497-4727-1-ND
  别名：497-4727-1
  M48Z35AV10MH6F
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC SRAM 16KBIT 100NS 24DIP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-PDIP
  
  型号：DS2016-100+
  仓库库存编号：DS2016-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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  无铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1330ABP-100+
  仓库库存编号：DS1330ABP-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1350YP-100+
  仓库库存编号：DS1350YP-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC SRAM 16KBIT 100NS 24SOIC
  详细描述：SRAM 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-SOIC
  
  型号：DS2016R-100+
  仓库库存编号：DS2016R-100+-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS3065W-100#
  仓库库存编号：DS3065W-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS3070W-100#
  仓库库存编号：DS3070W-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS2030AB-100#
  仓库库存编号：DS2030AB-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS2030L-100#
  仓库库存编号：DS2030L-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS2030W-100#
  仓库库存编号：DS2030W-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS2030Y-100#
  仓库库存编号：DS2030Y-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 100NS 256BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 256-BGA（27x27）
  
  型号：DS2045AB-100#
  仓库库存编号：DS2045AB-100#-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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