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Maxim Integrated
IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1225AB-85+
仓库库存编号：
DS1225AB-85+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 85ns 32-EDIP
型号：
DS1249Y-85IND#
仓库库存编号：
DS1249Y-85IND#-ND
别名：DS1249Y85IND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 128MBIT 85NS 88SCSP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 85ns 88-SCSP（8x10）
型号：
PF48F3000P0ZTQ0A
仓库库存编号：
PF48F3000P0ZTQ0A-ND
别名：874294
874294-ND
PF48F3000P0ZTQ0 874294
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 128MBIT 85NS 88SCSP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 85ns 88-SCSP（8x10）
型号：
RD48F3000P0ZTQ0A
仓库库存编号：
RD48F3000P0ZTQ0A-ND
别名：874297
874297-ND
RD48F3000P0ZTQ0 874297
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1225AD-85+
仓库库存编号：
DS1225AD-85+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-85+
仓库库存编号：
DS1230Y-85+-ND
别名：DS1230Y85
Q2791524
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-85+
仓库库存编号：
DS1245Y-85+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-EDIP
型号：
DS1245AB-85+
仓库库存编号：
DS1245AB-85+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128MBIT 85NS 56VFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 85ns 56-VFBGA（7.7x9）
型号：
M58LR128KB85ZB6F TR
仓库库存编号：
M58LR128KB85ZB6F TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128MBIT 85NS 56VFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 85ns 56-VFBGA（7.7x9）
型号：
M58LR128KT85ZB5F TR
仓库库存编号：
M58LR128KT85ZB5F TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128MBIT 85NS 56VFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 85ns 56-VFBGA（7.7x9）
型号：
M58LR128KT85ZB6F TR
仓库库存编号：
M58LR128KT85ZB6F TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 85NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 85ns 64-EasyBGA（10x13）
型号：
PC48F4400P0VB02E
仓库库存编号：
PC48F4400P0VB02E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 85NS 64EASYBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 85ns 64-EasyBGA（10x13）
型号：
PC48F4400P0VB0EF TR
仓库库存编号：
PC48F4400P0VB0EF TR-ND
别名：PC48F4400P0VB0EF
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 85NS 88SCSP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 52MHz 85ns 88-SCSP（11x8）
型号：
PF48F4400P0VBQEK TR
仓库库存编号：
PF48F4400P0VBQEK TR-ND
别名：PF48F4400P0VBQEK
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-85+
仓库库存编号：
DS1230AB-85+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 4MBIT 85NS 32DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
型号：
BQ4015YMA-85
仓库库存编号：
296-9401-5-ND
别名：296-9401-5
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
型号：
BQ4014MB-85
仓库库存编号：
296-9397-5-ND
别名：296-9397-5
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
型号：
BQ4014YMB-85
仓库库存编号：
296-9398-5-ND
别名：296-9398-5
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
型号：
BQ4013YMA-85
仓库库存编号：
296-9396-5-ND
别名：296-9396-5
BQ4013YMA85
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
型号：
BQ4010MA-85
仓库库存编号：
296-9389-5-ND
别名：296-9389-5
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1225AB-85
仓库库存编号：
DS1225AB-85-ND
别名：DS1225AB85
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1225AD-85
仓库库存编号：
DS1225AD-85-ND
别名：DS1225AD85
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-85
仓库库存编号：
DS1230AB-85-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 85NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 85ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-85
仓库库存编号：
DS1230Y-85-ND
规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
含铅
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IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-85
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规格：写周期时间 - 字，页 85ns,
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