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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 10ns 32-SOJ
型号：
AS7C31025C-10TJINTR
仓库库存编号：
AS7C31025C-10TJINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 10ns 32-TSOP
型号：
AS7C31025C-10TINTR
仓库库存编号：
AS7C31025C-10TINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP2
型号：
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR
仓库库存编号：
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 10NS 48TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 48-BGA
型号：
AS7C31026C-10BINTR
仓库库存编号：
AS7C31026C-10BINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 10ns 28-TSOP I
型号：
CY7C199D-10ZXIT
仓库库存编号：
428-2014-2-ND
别名：428-2014-2
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 1MBIT 10NS 48BGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
IS61WV6416DBLL-10BLI
仓库库存编号：
IS61WV6416DBLL-10BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 44-SOJ
型号：
CY7C1021D-10VXIT
仓库库存编号：
428-3779-1-ND
别名：428-3779-1
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 10ns 32-TSOP
型号：
AS7C31025C-10TIN
仓库库存编号：
1450-1213-5-ND
别名：1450-1213-5
AS7C31025C-10TIN-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 10ns 32-SOJ
型号：
AS7C31025C-10TJIN
仓库库存编号：
1450-1214-5-ND
别名：1450-1214-5
AS7C31025C-10TJIN-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR
仓库库存编号：
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 10NS 48TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 48-BGA
型号：
AS7C31026C-10BIN
仓库库存编号：
1450-1132-ND
别名：1450-1132
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61WV25616BLL-10TL-TR
仓库库存编号：
IS61WV25616BLL-10TL-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 10NS 48MINIBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR
仓库库存编号：
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61C5128AL-10TLI-TR
仓库库存编号：
IS61C5128AL-10TLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-SOJ
型号：
IS61C5128AL-10KLI-TR
仓库库存编号：
IS61C5128AL-10KLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
71V424S10PHG8
仓库库存编号：
71V424S10PHG8-ND
别名：IDT71V424S10PHG8
IDT71V424S10PHG8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-TFBGA（6x8）
型号：
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR
仓库库存编号：
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61WV12816DBLL-10TLI
仓库库存编号：
IS61WV12816DBLL-10TLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61LV12816L-10TL-TR
仓库库存编号：
IS61LV12816L-10TL-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 10NS 48CABGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 48-CABGA（7x7）
型号：
71V016SA10BF8
仓库库存编号：
71V016SA10BF8-ND
别名：IDT71V016SA10BF8
IDT71V016SA10BF8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-SOJ
型号：
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR
仓库库存编号：
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
搜索
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61WV5128BLL-10TLI-TR
仓库库存编号：
IS61WV5128BLL-10TLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 10NS 48MINIBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS61LV12816L-10BLI-TR
仓库库存编号：
IS61LV12816L-10BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP II
型号：
IS61C5128AL-10TLI
仓库库存编号：
IS61C5128AL-10TLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 10NS 48MINIBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS61WV12816DBLL-10BLI
仓库库存编号：
IS61WV12816DBLL-10BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
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