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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 36-SOJ
型号:
IDT71V424L10YI
仓库库存编号:
IDT71V424L10YI-ND
别名:71V424L10YI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 36-SOJ
型号:
IDT71V424L10YI8
仓库库存编号:
IDT71V424L10YI8-ND
别名:71V424L10YI8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424S10PH
仓库库存编号:
IDT71V424S10PH-ND
别名:71V424S10PH
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424S10PH8
仓库库存编号:
IDT71V424S10PH8-ND
别名:71V424S10PH8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424S10PHI
仓库库存编号:
IDT71V424S10PHI-ND
别名:71V424S10PHI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424S10PHI8
仓库库存编号:
IDT71V424S10PHI8-ND
别名:71V424S10PHI8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 36-SOJ
型号:
IDT71V424S10Y
仓库库存编号:
IDT71V424S10Y-ND
别名:71V424S10Y
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 36-SOJ
型号:
IDT71V424S10Y8
仓库库存编号:
IDT71V424S10Y8-ND
别名:71V424S10Y8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 36-SOJ
型号:
IDT71V424S10YI
仓库库存编号:
IDT71V424S10YI-ND
别名:71V424S10YI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 36-SOJ
型号:
IDT71V424S10YI8
仓库库存编号:
IDT71V424S10YI8-ND
别名:71V424S10YI8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YL10PH
仓库库存编号:
IDT71V424YL10PH-ND
别名:71V424YL10PH
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YL10PH8
仓库库存编号:
IDT71V424YL10PH8-ND
别名:71V424YL10PH8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YL10PHI
仓库库存编号:
IDT71V424YL10PHI-ND
别名:71V424YL10PHI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YL10PHI8
仓库库存编号:
IDT71V424YL10PHI8-ND
别名:71V424YL10PHI8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YS10PH
仓库库存编号:
IDT71V424YS10PH-ND
别名:71V424YS10PH
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YS10PH8
仓库库存编号:
IDT71V424YS10PH8-ND
别名:71V424YS10PH8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YS10PHI
仓库库存编号:
IDT71V424YS10PHI-ND
别名:71V424YS10PHI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
IDT71V424YS10PHI8
仓库库存编号:
IDT71V424YS10PHI8-ND
别名:71V424YS10PHI8
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 10ns 44-TSOP II
型号:
71V416YS10PHG
仓库库存编号:
71V416YS10PHG-ND
别名:IDT71V416YS10PHG
IDT71V416YS10PHG-ND
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 119BGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (512K x 32) 并联 10ns 119-PBGA(14x22)
型号:
CY7C1062DV33-10BGI
仓库库存编号:
428-3274-ND
别名:428-3274
CY7C1062DV33-10BGI-ND
CY7C1062DV3310BGI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 119BGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (512K x 32) 并联 10ns 119-PBGA(14x22)
型号:
CY7C1062DV33-10BGIT
仓库库存编号:
CY7C1062DV33-10BGIT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 119BGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (512K x 32) 并联 10ns 119-PBGA(14x22)
型号:
CY7C1062DV33-10BGXIT
仓库库存编号:
CY7C1062DV33-10BGXIT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 10ns 54-TSOP II
型号:
CY7C1069DV33-10ZSXIT
仓库库存编号:
CY7C1069DV33-10ZSXIT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 10ns 54-TSOP II
型号:
CY7C10612DV33-10ZSXI
仓库库存编号:
428-3276-5-ND
别名:428-3276-5
CY7C10612DV33-10ZSXI-ND
CY7C10612DV3310ZSXI
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 10ns 54-TSOP II
型号:
CY7C10612DV33-10ZSXIT
仓库库存编号:
CY7C10612DV33-10ZSXIT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 10ns,
无铅
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