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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 10ns 48-VFBGA（8x9.5）
型号：
CY7C1061DV33-10BVJXIT
仓库库存编号：
CY7C1061DV33-10BVJXIT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-SOJ
型号：
CY7C1049CV33-10VXA
仓库库存编号：
CY7C1049CV33-10VXA-ND
别名：CY7C1049CV3310VXA
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 1MBIT 10NS 48TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
CY7C10212DV33-10BVXI
仓库库存编号：
CY7C10212DV33-10BVXI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 1MBIT 10NS 48TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
CY7C10212DV33-10BVXIT
仓库库存编号：
CY7C10212DV33-10BVXIT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-SOJ
型号：
CY7C1049CV33-10VXAT
仓库库存编号：
CY7C1049CV33-10VXAT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 10ns 48-VFBGA（8x9.5）
型号：
CY7C1061DV33-10BV1XI
仓库库存编号：
CY7C1061DV33-10BV1XI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 10ns 48-VFBGA（8x9.5）
型号：
CY7C1061DV33-10BV1XIT
仓库库存编号：
CY7C1061DV33-10BV1XIT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS61WV25616BLL-10BI
仓库库存编号：
IS61WV25616BLL-10BI-ND
别名：Q7200303
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 48-CABGA（9x9）
型号：
71V416L10BE8
仓库库存编号：
71V416L10BE8-ND
别名：IDT71V416L10BE8
IDT71V416L10BE8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 44-SOJ
型号：
71V416L10YGI
仓库库存编号：
71V416L10YGI-ND
别名：IDT71V416L10YGI
IDT71V416L10YGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 44-SOJ
型号：
71V416L10YGI8
仓库库存编号：
71V416L10YGI8-ND
别名：IDT71V416L10YGI8
IDT71V416L10YGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 48-FBGA（7x8.5）
型号：
CY7C1041CV33-10BAXET
仓库库存编号：
CY7C1041CV33-10BAXET-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 9Mb （512K x 18） 并联 10ns 208-CABGA（15x15）
型号：
70T633S10BFG
仓库库存编号：
70T633S10BFG-ND
别名：IDT70T633S10BFG
IDT70T633S10BFG-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 9Mb （512K x 18） 并联 10ns 208-CABGA（15x15）
型号：
70T633S10BFG8
仓库库存编号：
70T633S10BFG8-ND
别名：IDT70T633S10BFG8
IDT70T633S10BFG8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 1.125Mb （32K x 36） 并联 10ns 208-PQFP（28x28）
型号：
70V657S10DRG8
仓库库存编号：
70V657S10DRG8-ND
别名：IDT70V657S10DRG8
IDT70V657S10DRG8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 10ns 28-TSOP
型号：
AS7C3256B-10TINTR
仓库库存编号：
AS7C3256B-10TINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 10ns 28-TSOP
型号：
AS7C3256B-10TIN
仓库库存编号：
AS7C3256B-10TIN-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 48-FBGA（6x8）
型号：
CY7C1011CV33-10BAJXE
仓库库存编号：
CY7C1011CV33-10BAJXE-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 10ns 48-FBGA（6x8）
型号：
CY7C1011CV33-10BAJXET
仓库库存编号：
CY7C1011CV33-10BAJXET-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 48-FBGA（6x8）
型号：
CY7C1041CV33-10BAJXE
仓库库存编号：
CY7C1041CV33-10BAJXE-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 48-FBGA（6x8）
型号：
CY7C1041CV33-10BAJXET
仓库库存编号：
CY7C1041CV33-10BAJXET-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS61WV25616BLL-10BI-TR
仓库库存编号：
IS61WV25616BLL-10BI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-TFBGA（6x8）
型号：
IS61WV5128BLL-10BI
仓库库存编号：
IS61WV5128BLL-10BI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 36TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 36-TFBGA（6x8）
型号：
IS61WV5128BLL-10BI-TR
仓库库存编号：
IS61WV5128BLL-10BI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 16MBIT 10NS 48BGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 10ns 48-TFBGA（9x11）
型号：
IS64WV102416BLL-10MA3
仓库库存编号：
IS64WV102416BLL-10MA3-ND
规格：写周期时间 - 字，页 10ns,
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