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Maxim Integrated
IC SRAM 16KBIT 150NS 24DIP
详细描述:SRAM 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 150ns 24-PDIP
型号:
DS2016-150
仓库库存编号:
DS2016-150-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 150ns 24-EDIP
型号:
DS1220AB-150IND
仓库库存编号:
DS1220AB-150IND-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
含铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb (8K x 8) 并联 150ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4010MA-150
仓库库存编号:
296-32840-5-ND
别名:296-32840-5
BQ4010MA-150-ND
BQ4010MA150
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb (8K x 8) 并联 150ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4010YMA-150
仓库库存编号:
296-32842-5-ND
别名:296-32842-5
BQ4010YMA-150-ND
BQ4010YMA150
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb (8K x 8) 并联 150ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4010YMA-150N
仓库库存编号:
296-32843-5-ND
别名:296-32843-5
BQ4010YMA-150N-ND
BQ4010YMA150N
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 150ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4011MA-150
仓库库存编号:
BQ4011MA-150-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
搜索
Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 150ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4011YMA-150
仓库库存编号:
BQ4011YMA-150-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 150ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4011YMA-150N
仓库库存编号:
BQ4011YMA-150N-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 150NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 150ns 36-EDIP
型号:
DS1270W-150#
仓库库存编号:
DS1270W-150#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 150NS 40EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 2Mb (128K x 16) 并联 150ns 40-EDIP
型号:
DS1258W-150#
仓库库存编号:
DS1258W-150#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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Fujitsu Electronics America, Inc.
IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 150ns 28-SOP
型号:
MB85R256FPF-G-BNDE1
仓库库存编号:
865-1171-ND
别名:865-1171
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC SRAM 16KBIT 150NS 24DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 150ns 24-EDIP
型号:
DS1220Y-150+
仓库库存编号:
DS1220Y-150+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 150ns,
无铅
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