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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX5E TR
仓库库存编号:
W948D6FBHX5E TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX6E TR
仓库库存编号:
W948D6FBHX6E TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6E TR
仓库库存编号:
W988D6FBGX6E TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX7E TR
仓库库存编号:
W988D6FBGX7E TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W947D2HBJX5E
仓库库存编号:
W947D2HBJX5E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W947D2HBJX6E
仓库库存编号:
W947D2HBJX6E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W987D2HBJX6E
仓库库存编号:
W987D2HBJX6E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W987D2HBJX7E
仓库库存编号:
W987D2HBJX7E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-TSOP
型号:
AS7C1024B-15TJCNTR
仓库库存编号:
AS7C1024B-15TJCNTR-ND
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无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C1025B-15TJCNTR
仓库库存编号:
AS7C1025B-15TJCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C31024B-15TJCNTR
仓库库存编号:
AS7C31024B-15TJCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C31025B-15TJCNTR
仓库库存编号:
AS7C31025B-15TJCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C1024B-15JCNTR
仓库库存编号:
AS7C1024B-15JCNTR-ND
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C31024B-15JCNTR
仓库库存编号:
AS7C31024B-15JCNTR-ND
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C31025B-15JCNTR
仓库库存编号:
AS7C31025B-15JCNTR-ND
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-TSOP
型号:
AS7C1024B-15TCNTR
仓库库存编号:
AS7C1024B-15TCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-TSOP I
型号:
AS7C31024B-15TCNTR
仓库库存编号:
AS7C31024B-15TCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
型号:
AS7C1026B-15JCNTR
仓库库存编号:
AS7C1026B-15JCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
型号:
AS7C31026B-15JCNTR
仓库库存编号:
AS7C31026B-15JCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-TSOP II
型号:
AS7C1026B-15TCNTR
仓库库存编号:
AS7C1026B-15TCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-TSOP II
型号:
AS7C31026B-15TCNTR
仓库库存编号:
AS7C31026B-15TCNTR-ND
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 512KBIT 15NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 15ns 44-TSOP II
型号:
AS7C3513B-15TCNTR
仓库库存编号:
AS7C3513B-15TCNTR-ND
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 512KBIT 15NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 15ns 44-TSOP II
型号:
AS7C513B-15TCNTR
仓库库存编号:
AS7C513B-15TCNTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
AS4C4M16D1A-5TINTR
仓库库存编号:
AS4C4M16D1A-5TINTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W948D2FBJX6E TR
仓库库存编号:
W948D2FBJX6E TR-ND
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