规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(3148)
集成电路(IC)
(3148)
筛选品牌
Alliance Memory, Inc. (357)
Cypress Semiconductor Corp (292)
IDT, Integrated Device Technology Inc (514)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (633)
Micron Technology Inc. (1155)
Winbond Electronics (197)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX6E TR
仓库库存编号:
W988D2FBJX6E TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX7E TR
仓库库存编号:
W988D2FBJX7E TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160B-37CBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160B-37CBL-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX5I TR
仓库库存编号:
W948D6FBHX5I TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6I TR
仓库库存编号:
W988D6FBGX6I TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS43R16800E-5TL
仓库库存编号:
IS43R16800E-5TL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
71124S15YGI
仓库库存编号:
800-1423-5-ND
别名:800-1423
800-1423-5
800-1423-ND
IDT71124S15YGI
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
型号:
AS7C1026B-15JINTR
仓库库存编号:
AS7C1026B-15JINTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 350ps 84-WBGA(8x12.5)
型号:
W9751G6KB-18
仓库库存编号:
W9751G6KB-18-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400ps 60-WBGA(8x12.5)
型号:
W9751G8KB-25
仓库库存编号:
W9751G8KB-25-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W947D2HBJX5I
仓库库存编号:
W947D2HBJX5I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W987D2HBJX6I
仓库库存编号:
W987D2HBJX6I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W948D2FBJX5I TR
仓库库存编号:
W948D2FBJX5I TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX6I TR
仓库库存编号:
W988D2FBJX6I TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 55ns 66-TSOP II
型号:
W9425G6KH-5I
仓库库存编号:
W9425G6KH-5I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX5E
仓库库存编号:
W948D6FBHX5E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6E
仓库库存编号:
W988D6FBGX6E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX7E
仓库库存编号:
W988D6FBGX7E-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400ps 84-WBGA(8x12.5)
型号:
W9725G6KB25I TR
仓库库存编号:
W9725G6KB25I TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 400ps 60-WBGA(8x12.5)
型号:
W9725G8KB25I TR
仓库库存编号:
W9725G8KB25I TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
AS4C4M16D1A-5TIN
仓库库存编号:
1450-1291-ND
别名:1450-1291
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 512KBIT 15NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
型号:
AS7C3513B-15JCN
仓库库存编号:
AS7C3513B-15JCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 512KBIT 15NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
型号:
AS7C513B-15JCN
仓库库存编号:
AS7C513B-15JCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-TSOP
型号:
AS7C1024B-15TJCN
仓库库存编号:
AS7C1024B-15TJCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-SOJ
型号:
AS7C1025B-15TJCN
仓库库存编号:
AS7C1025B-15TJCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号