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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
型号:
AS4C32M16D2-25BANTR
仓库库存编号:
AS4C32M16D2-25BANTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS46R16160F-6TLA1-TR
仓库库存编号:
IS46R16160F-6TLA1-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
型号:
AS4C64M16D2-25BINTR
仓库库存编号:
AS4C64M16D2-25BINTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 60-TFBGA(8x13)
型号:
IS43R16160F-6BL-TR
仓库库存编号:
IS43R16160F-6BL-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160B-37CBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160B-37CBLI-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 450ps 60-TWBGA(10.5x8)
型号:
IS43DR86400C-3DBL
仓库库存编号:
IS43DR86400C-3DBL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B XIT:M
仓库库存编号:
MT46V16M16P-5B XIT:M-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
仓库库存编号:
MT46V16M16P-5B AIT:M TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B XIT:M TR
仓库库存编号:
MT46V16M16P-5B XIT:M TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B AIT:M
仓库库存编号:
MT46V16M16P-5B AIT:M-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416L15BE8
仓库库存编号:
71V416L15BE8-ND
别名:IDT71V416L15BE8
IDT71V416L15BE8-ND
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含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS43LR32400G-6BL-TR
仓库库存编号:
IS43LR32400G-6BL-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16800G-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS43LR16800G-6BLI-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H128M8SH-25E IT:M
仓库库存编号:
MT47H128M8SH-25E IT:M-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H64M16NF-25E IT:M
仓库库存编号:
MT47H64M16NF-25E IT:M-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
AS4C128M8D2-25BINTR
仓库库存编号:
AS4C128M8D2-25BINTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS43R16320D-5TL
仓库库存编号:
IS43R16320D-5TL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 20ns 78-TWBGA(8x10.5)
型号:
IS43TR82560BL-15HBL
仓库库存编号:
IS43TR82560BL-15HBL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M16P-5B:J TR
仓库库存编号:
MT46V32M16P-5B:J TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V64M8P-5B:J TR
仓库库存编号:
MT46V64M8P-5B:J TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS46R16160F-5TLA1-TR
仓库库存编号:
IS46R16160F-5TLA1-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS43R86400D-5TL
仓库库存编号:
IS43R86400D-5TL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
AS4C32M16D1-5TIN
仓库库存编号:
1450-1150-5-ND
别名:1450-1150-5
AS4C32M16D1-5TIN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16800G-6BL
仓库库存编号:
IS43LR16800G-6BL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160B-3DBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160B-3DBLI-TR-ND
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