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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR
仓库库存编号:
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
AS4C64M8D2-25BANTR
仓库库存编号:
AS4C64M8D2-25BANTR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 60-TFBGA(8x13)
型号:
IS43R16160F-5BL-TR
仓库库存编号:
IS43R16160F-5BL-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M16P-5B:J
仓库库存编号:
MT46V32M16P-5B:J-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V64M8P-5B:J
仓库库存编号:
MT46V64M8P-5B:J-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416L15BEG8
仓库库存编号:
800-1846-2-ND
别名:800-1846-2
IDT71V416L15BEG8
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416L15BEI8
仓库库存编号:
71V416L15BEI8-ND
别名:IDT71V416L15BEI8
IDT71V416L15BEI8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
AS4C128M8D3L-12BIN
仓库库存编号:
1450-1092-ND
别名:1450-1092
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B IT:M
仓库库存编号:
MT46V16M16P-5B IT:M-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B IT:M TR
仓库库存编号:
MT46V16M16P-5B IT:M TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 60-TFBGA(8x13)
型号:
IS43R16160D-6BL-TR
仓库库存编号:
IS43R16160D-6BL-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H32M16NF-25E AIT:H
仓库库存编号:
MT47H32M16NF-25E AIT:H-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H64M8SH-25E AIT:H
仓库库存编号:
MT47H64M8SH-25E AIT:H-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS43R83200D-6TL-TR
仓库库存编号:
IS43R83200D-6TL-TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 66-TSOP II
型号:
IS46R16160F-6TLA1
仓库库存编号:
IS46R16160F-6TLA1-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 15ns 36-SOJ
型号:
71V424L15YG8
仓库库存编号:
71V424L15YG8-ND
别名:IDT71V424L15YG8
IDT71V424L15YG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416S15BE8
仓库库存编号:
71V416S15BE8-ND
别名:IDT71V416S15BE8
IDT71V416S15BE8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416S15BEG8
仓库库存编号:
71V416S15BEG8-ND
别名:IDT71V416S15BEG8
IDT71V416S15BEG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 700ps 60-TFBGA(8x13)
型号:
IS43R16160F-6BL
仓库库存编号:
IS43R16160F-6BL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR
仓库库存编号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR-ND
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C
仓库库存编号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M4SH-25E:M
仓库库存编号:
MT47H256M4SH-25E:M-ND
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
AS4C256M8D3-15BCNTR
仓库库存编号:
AS4C256M8D3-15BCNTR-ND
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 144BGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 700ps 144-LFBGA(12x12)
型号:
IS43R32400E-5BL-TR
仓库库存编号:
IS43R32400E-5BL-TR-ND
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS43LR32400G-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS43LR32400G-6BLI-TR-ND
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