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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-TSOP II
型号:
CY7C1021CV26-15ZSXE
仓库库存编号:
CY7C1021CV26-15ZSXE-ND
别名:CY7C1021CV2615ZSXE
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 20ns 96-BGA(13x9)
型号:
IS43TR16128CL-125KBL-TR
仓库库存编号:
706-1596-1-ND
别名:706-1596-1
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(13x9)
型号:
AS4C64M16D3-12BAN
仓库库存编号:
1450-1110-ND
别名:1450-1110
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MB 15NS 44TSOPII
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 15ns 44-TSOP II
型号:
CY7C1049G18-15ZSXI
仓库库存编号:
CY7C1049G18-15ZSXI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MB 15NS 48VFBGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-VFBGA(6x8)
型号:
CY7C1041G18-15BVXI
仓库库存编号:
CY7C1041G18-15BVXI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MB 15NS44SOIC
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
型号:
CY7C1041G18-15VXI
仓库库存编号:
CY7C1041G18-15VXI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 15ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416S15BEI
仓库库存编号:
71V416S15BEI-ND
别名:IDT71V416S15BEI
IDT71V416S15BEI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (32M x 4) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M4TG-6T:D TR
仓库库存编号:
557-1024-1-ND
别名:557-1024-1
MT46V32M4TG-6T:D
MT46V32M4TG6TDTR
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(9x10.5)
型号:
AS4C512M8D3L-12BCN
仓库库存编号:
1450-1108-ND
别名:1450-1108
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(13x9)
型号:
AS4C256M16D3L-12BCN
仓库库存编号:
1450-1097-ND
别名:1450-1097
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (16M x 8) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M8TG-6T L:D TR
仓库库存编号:
557-1022-1-ND
别名:557-1022-1
MT46V16M8TG-6T L:D
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (16M x 8) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M8TG-6T IT:D TR
仓库库存编号:
557-1021-1-ND
别名:557-1021-1
MT46V16M8TG-6T IT:D
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 450ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H128M8CF-3:H
仓库库存编号:
1450-1357-1-ND
别名:1450-1357-1
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16PK-25E IT:CTR
仓库库存编号:
1450-1347-1-ND
别名:1450-1347-1
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(13x9)
型号:
AS4C256M16D3-12BAN
仓库库存编号:
1450-1094-ND
别名:1450-1094
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
AS4C32M16SM-7TCN
仓库库存编号:
1450-1124-ND
别名:1450-1124
AL48LC32M16A2P-75:C
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (64M x 4) 并联 500ps 60-FBGA(8x12)
型号:
MT47H64M4BP-37E:B TR
仓库库存编号:
557-1290-1-ND
别名:557-1290-1
MT47H64M4BP37EBTR
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC32M16A2P-75:C TR
仓库库存编号:
1450-1338-1-ND
别名:1450-1338-1
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4TG-6T:D TR
仓库库存编号:
557-1014-1-ND
别名:557-1014-1
MT46V128M4TG-6T:D
MT46V128M4TG-6T:F
MT46V128M4TG6TDTR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400ps 84-TWBGA(10.5x13)
型号:
IS43DR16128B-25EBL
仓库库存编号:
706-1367-ND
别名:706-1367
IS43DR16128B-25EBL-ND
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR
仓库库存编号:
1450-1278-1-ND
别名:1450-1278-1
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4TG-5B:D TR
仓库库存编号:
557-1013-1-ND
别名:557-1013-1
MT46V128M4TG-5B:D
MT46V128M4TG5BDTR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400ps 84-TWBGA(10.5x13)
型号:
IS43DR16128B-25EBLI
仓库库存编号:
706-1368-ND
别名:706-1368
IS43DR16128B-25EBLI-ND
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V128M4FN-5B:D TR
仓库库存编号:
557-1011-1-ND
别名:557-1011-1
MT46V128M4FN-5B:D
MT46V128M4FN-5B:F
MT46V128M4FN5BDTR
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 500ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M4BT-37E:A TR
仓库库存编号:
557-1044-1-ND
别名:557-1044-1
MT47H128M4BT-37E:A
规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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