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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-SOJ
型号:
AS7C31026B-20JCN
仓库库存编号:
AS7C31026B-20JCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 20NS 32TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 20ns 32-TSOP I
型号:
AS7C1024B-20TCN
仓库库存编号:
AS7C1024B-20TCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 20NS 32TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 20ns 32-TSOP I
型号:
AS7C31024B-20TCN
仓库库存编号:
AS7C31024B-20TCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 512KBIT 20NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 20ns 44-TSOP II
型号:
AS7C3513B-20TCN
仓库库存编号:
AS7C3513B-20TCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-TSOP II
型号:
AS7C1026B-20TCN
仓库库存编号:
AS7C1026B-20TCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-TSOP II
型号:
AS7C31026B-20TCN
仓库库存编号:
AS7C31026B-20TCN-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 20NS 28DIP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb (8K x 8) 并联 20ns 28-PDIP
型号:
7164S20TPG
仓库库存编号:
7164S20TPG-ND
别名:IDT7164S20TPG
IDT7164S20TPG-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-TSOP II
型号:
71016S20PHGI8
仓库库存编号:
71016S20PHGI8-ND
别名:IDT71016S20PHGI8
IDT71016S20PHGI8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 20ns 28-TSOP
型号:
71V256SA20PZG8
仓库库存编号:
71V256SA20PZG8-ND
别名:IDT71V256SA20PZG8
IDT71V256SA20PZG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 48-CABGA(7x7)
型号:
71V016SA20BF8
仓库库存编号:
71V016SA20BF8-ND
别名:IDT71V016SA20BF8
IDT71V016SA20BF8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-TSOP II
型号:
71016S20PHGI
仓库库存编号:
71016S20PHGI-ND
别名:IDT71016S20PHGI
IDT71016S20PHGI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 20ns 28-TSOP
型号:
71V256SA20PZG
仓库库存编号:
71V256SA20PZG-ND
别名:IDT71V256SA20PZG
IDT71V256SA20PZG-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 48-CABGA(7x7)
型号:
71V016SA20BFI8
仓库库存编号:
71V016SA20BFI8-ND
别名:IDT71V016SA20BFI8
IDT71V016SA20BFI8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 48-CABGA(7x7)
型号:
71V016SA20BF
仓库库存编号:
71V016SA20BF-ND
别名:IDT71V016SA20BF
IDT71V016SA20BF-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-SOJ
型号:
71V016SA20YGI8
仓库库存编号:
71V016SA20YGI8-ND
别名:IDT71V016SA20YGI8
IDT71V016SA20YGI8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 48-CABGA(7x7)
型号:
71V016SA20BFI
仓库库存编号:
71V016SA20BFI-ND
别名:IDT71V016SA20BFI
IDT71V016SA20BFI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 20NS 28DIP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 20ns 28-PDIP
型号:
71256SA20TPGI
仓库库存编号:
71256SA20TPGI-ND
别名:IDT71256SA20TPGI
IDT71256SA20TPGI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 48-CABGA(7x7)
型号:
71V016SA20BFG8
仓库库存编号:
71V016SA20BFG8-ND
别名:IDT71V016SA20BFG8
IDT71V016SA20BFG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 44-SOJ
型号:
71V016SA20YGI
仓库库存编号:
71V016SA20YGI-ND
别名:IDT71V016SA20YGI
IDT71V016SA20YGI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 2GBIT 20NS 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND (SLC) 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 20ns 48-TSOP
型号:
MX30LF2G28AB-TI
仓库库存编号:
1092-1155-ND
别名:1092-1155
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 20ns 28-SOJ
型号:
71256L20YG8
仓库库存编号:
71256L20YG8-ND
别名:IDT71256L20YG8
IDT71256L20YG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 20ns 24-SOIC
型号:
6116LA20SOG8
仓库库存编号:
6116LA20SOG8-ND
别名:IDT6116LA20SOG8
IDT6116LA20SOG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 20ns 24-SOIC
型号:
6116SA20SOG8
仓库库存编号:
6116SA20SOG8-ND
别名:IDT6116SA20SOG8
IDT6116SA20SOG8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 20NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 20ns 48-CABGA(7x7)
型号:
71V016SA20BFGI8
仓库库存编号:
71V016SA20BFGI8-ND
别名:IDT71V016SA20BFGI8
IDT71V016SA20BFGI8-ND
规格:写周期时间 - 字,页 20ns,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Kb (2K x 8) 并联 20ns 24-PDIP
型号:
6116SA20TPGI
仓库库存编号:
6116SA20TPGI-ND
别名:IDT6116SA20TPGI
IDT6116SA20TPGI-ND
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