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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML01G200BHI900
仓库库存编号：
428-4246-ND
别名：428-4246
S34ML01G200BHI900-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML01G100TFI500
仓库库存编号：
428-4243-ND
别名：428-4243
S34ML01G100TFI500-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML01G100TFA000
仓库库存编号：
428-4241-ND
别名：428-4241
S34ML01G100TFA000-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML04G200TFI900
仓库库存编号：
428-4268-ND
别名：428-4268
S34ML04G200TFI900-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 256KBIT 25NS 32SOIC
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 32-SOIC
型号：
CY14E256LA-SZ25XI
仓库库存编号：
428-3622-5-ND
别名：428-3622-5
CY14E256LA-SZ25XI-ND
CY14E256LASZ25XI
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 32Kb （2K x 16） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
型号：
7133LA25PFGI
仓库库存编号：
800-3618-ND
别名：7133LA25PFGI-ND
800-3618
IDT7133LA25PFGI
IDT7133LA25PFGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
型号：
TC58BYG0S3HBAI6
仓库库存编号：
TC58BYG0S3HBAI6-ND
别名：TC58BYG0S3HBAI6JDH
TC58BYG0S3HBAI6YCJ
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58NVG0S3HTA00
仓库库存编号：
TC58NVG0S3HTA00-ND
别名：TC58NVG0S3HTA00B4H
TC58NVG0S3HTA00J4H
TC58NVG0S3HTA00Y0J
TC58NVG0S3HTA00YCJ
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58BVG0S3HTA00
仓库库存编号：
TC58BVG0S3HTA00-ND
别名：TC58BVG0S3HTA00B4H
TC58BVG0S3HTA00Y0J
TC58BVG0S3HTA00YCJ
TC58BVG0S3HTA00YCL
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 63-TFBGA（9x11）
型号：
TC58BVG0S3HBAI4
仓库库存编号：
TC58BVG0S3HBAI4-ND
别名：TC58BVG0S3HBAI4JDH
TC58BVG0S3HBAI4YCL
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58BVG1S3HTA00
仓库库存编号：
TC58BVG1S3HTA00-ND
别名：TC58BVG1S3HTA00B4H
TC58BVG1S3HTA00YCJ
TC58BVG1S3HTA00YCL
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 63-TFBGA（9x11）
型号：
TC58NVG1S3HBAI4
仓库库存编号：
TC58NVG1S3HBAI4-ND
别名：TC58NVG1S3HBAI4JDH
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58NVG1S3HTAI0
仓库库存编号：
TC58NVG1S3HTAI0-ND
别名：TC58NVG1S3HTAI0B4H
TC58NVG1S3HTAI0YCJ
TC58NVG1S3HTAIOB4H
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58BVG2S0HTA00
仓库库存编号：
TC58BVG2S0HTA00-ND
别名：TC58BVG2S0HTA00B4H
TC58BVG2S0HTA00YCJ
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58NVG2S0HTA00
仓库库存编号：
TC58NVG2S0HTA00-ND
别名：TC58NVG2S0HTA00B4H
TC58NVG2S0HTA00Y0L
TC58NVG2S0HTA00YCJ
TC58NVG2SOHTA00B4H
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 63-TFBGA（9x11）
型号：
TC58BVG2S0HBAI4
仓库库存编号：
TC58BVG2S0HBAI4-ND
别名：ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
型号：
TH58BYG2S3HBAI6
仓库库存编号：
TH58BYG2S3HBAI6-ND
别名：TH58BYG2S3HBAI6JDH
TH58BYG2S3HBAI6YCL
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TH58NVG2S3HTA00
仓库库存编号：
TH58NVG2S3HTA00-ND
别名：TH58NVG2S3HTA00B4H
TH58NVG2S3HTA00YCJ
TH58NVG2S3HTA00YCL
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TH58BVG2S3HTAI0
仓库库存编号：
TH58BVG2S3HTAI0-ND
别名：TH58BVG2S3HTAI0B4H
TH58BVG2S3HTAI0YCJ
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 72KBIT 25NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 72Kb （4K x 18） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
型号：
CY7C0241E-25AXC
仓库库存编号：
428-3066-ND
别名：428-3066
CY7C0241E25AXC
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TH58NVG4S0HTA20
仓库库存编号：
TH58NVG4S0HTA20-ND
别名：TH58NVG4S0HTA20YCJ
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 1MBIT 25NS 44TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 25ns 44-TSOP II
型号：
CY14B101LA-ZS25XI
仓库库存编号：
CY14B101LA-ZS25XI-ND
别名：CY14B101LAZS25XI
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 144KBIT 25NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 144Kb （8K x 18） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
型号：
CY7C0251AV-25AC
仓库库存编号：
428-1160-ND
别名：428-1160
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 44-TSOP II
型号：
CY14B104LA-ZS25XI
仓库库存编号：
CY14B104LA-ZS25XI-ND
别名：CY14B104LAZS25XI
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
型号：
CY7C026AV-25AXC
仓库库存编号：
428-2096-ND
别名：428-2096
CY7C026AV-25AXC-ND
CY7C026AV25AXC
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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