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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 25ns 24-SOIC
  
  型号：6116SA25SOGI
  仓库库存编号：6116SA25SOGI-ND
  别名：IDT6116SA25SOGI
  IDT6116SA25SOGI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOIC
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOIC
  
  型号：CY7C199D-25SXE
  仓库库存编号：CY7C199D-25SXE-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 25ns 24-PDIP
  
  型号：6116LA25TPG
  仓库库存编号：6116LA25TPG-ND
  别名：IDT6116LA25TPG
  IDT6116LA25TPG-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
  详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
  
  型号：TC58NYG2S0HBAI6
  仓库库存编号：TC58NYG2S0HBAI6-ND
  别名：TC58NYG2S0HBAI6JDH
  TC58NYG2S0HBAI6YCL
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 25ns 44-TSOP II
  
  型号：IS61WV25616BLS-25TLI
  仓库库存编号：IS61WV25616BLS-25TLI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164L25YG8
  仓库库存编号：7164L25YG8-ND
  别名：IDT7164L25YG8
  IDT7164L25YG8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164S25YG8
  仓库库存编号：7164S25YG8-ND
  别名：IDT7164S25YG8
  IDT7164S25YG8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-TSOP
  
  型号：71256SA25PZGI8
  仓库库存编号：71256SA25PZGI8-ND
  别名：IDT71256SA25PZGI8
  IDT71256SA25PZGI8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164S25YG
  仓库库存编号：7164S25YG-ND
  别名：IDT7164S25YG
  IDT7164S25YG-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164S25YGI8
  仓库库存编号：7164S25YGI8-ND
  别名：IDT7164S25YGI8
  IDT7164S25YGI8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164L25YG
  仓库库存编号：7164L25YG-ND
  别名：IDT7164L25YG
  IDT7164L25YG-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164S25YGI
  仓库库存编号：7164S25YGI-ND
  别名：IDT7164S25YGI
  IDT7164S25YGI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  FLASH MEMORY NAND
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 63-BGA（11x9）
  
  型号：S34ML04G204BHI013
  仓库库存编号：S34ML04G204BHI013-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164L25YGI8
  仓库库存编号：7164L25YGI8-ND
  别名：IDT7164L25YGI8
  IDT7164L25YGI8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：71256L25YGI8
  仓库库存编号：71256L25YGI8-ND
  别名：IDT71256L25YGI8
  IDT71256L25YGI8-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Winbond Electronics
  IC FLASH 4GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：W29N04GVBIAA
  仓库库存编号：W29N04GVBIAA-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Winbond Electronics
  IC FLASH 4GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：W29N04GVBIAF
  仓库库存编号：W29N04GVBIAF-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28DIP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-PDIP
  
  型号：7164S25TPG
  仓库库存编号：7164S25TPG-ND
  别名：IDT7164S25TPG
  IDT7164S25TPG-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：7164L25YGI
  仓库库存编号：7164L25YGI-ND
  别名：IDT7164L25YGI
  IDT7164L25YGI-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Winbond Electronics
  IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP（18.4x12）
  
  型号：W29N04GVSIAA
  仓库库存编号：W29N04GVSIAA-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Winbond Electronics
  IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP（18.4x12）
  
  型号：W29N04GVSIAF
  仓库库存编号：W29N04GVSIAF-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
  
  型号：S34ML01G100BHV000
  仓库库存编号：S34ML01G100BHV000-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
  
  型号：71256L25YGI
  仓库库存编号：800-1424-5-ND
  别名：800-1424
  800-1424-5
  800-1424-ND
  IDT71256L25YGI
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 2GBIT 25NS 63BGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 63-BGA（11x9）
  
  型号：S34ML02G104BHI010
  仓库库存编号：S34ML02G104BHI010-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC FLASH 2GBIT 25NS 63BGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
  
  型号：S34ML02G100BHB000
  仓库库存编号：S34ML02G100BHB000-ND
  
  规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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