规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-120+
仓库库存编号：
DS1230AB-120+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-120+
仓库库存编号：
DS1230Y-120+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP
型号：
DS1245AB-120+
仓库库存编号：
DS1245AB-120+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-120+
仓库库存编号：
DS1245Y-120+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 120ns 24-EDIP
型号：
DS1220AD-120+
仓库库存编号：
DS1220AD-120+-ND
别名：DS1220AD120
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 120ns 24-EDIP
型号：
DS1220AB-120+
仓库库存编号：
DS1220AB-120+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-120IND+
仓库库存编号：
DS1230Y-120IND+-ND
别名：DS1230Y120IND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-120IND+
仓库库存编号：
DS1245Y-120IND+-ND
别名：DS1245Y120IND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 512MBIT 120NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 120ns 56-TSOP
型号：
MX29GL512FDT2I-12G
仓库库存编号：
MX29GL512FDT2I-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 512MBIT 120NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 120ns 56-TSOP
型号：
MX29GL512FUT2I-12G
仓库库存编号：
MX29GL512FUT2I-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 512MBIT 120NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 120ns 64-LFBGA，CSP（11x13）
型号：
MX29GL512FUXFI-12G
仓库库存编号：
MX29GL512FUXFI-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 512MBIT 120NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 120ns 64-LFBGA，CSP（11x13）
型号：
MX29GL512FDXFI-12G
仓库库存编号：
MX29GL512FDXFI-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 1GBIT 120NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 120ns 64-LFBGA，CSP（11x13）
型号：
MX68GL1G0FUXFI-12G
仓库库存编号：
MX68GL1G0FUXFI-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 1GBIT 120NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 120ns 64-LFBGA，CSP（11x13）
型号：
MX68GL1G0FDXFI-12G
仓库库存编号：
MX68GL1G0FDXFI-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 1GBIT 120NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 120ns 56-TSOP
型号：
MX68GL1G0FDT2I-12G
仓库库存编号：
MX68GL1G0FDT2I-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Macronix
IC FLASH 1GBIT 120NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 120ns 56-TSOP
型号：
MX68GL1G0FUT2I-12G
仓库库存编号：
MX68GL1G0FUT2I-12G-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-120IND+
仓库库存编号：
DS1230AB-120IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP
型号：
DS1245AB-120IND+
仓库库存编号：
DS1245AB-120IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-120
仓库库存编号：
DS1230Y-120-ND
别名：DS1230Y120
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230AB-120
仓库库存编号：
DS1230AB-120-ND
别名：DS1230AB120
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 120ns 24-EDIP
型号：
DS1220AB-120
仓库库存编号：
DS1220AB-120-ND
别名：DS1220AB120
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP
型号：
DS1245Y-120
仓库库存编号：
DS1245Y-120-ND
别名：DS1245Y120
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP
型号：
DS1245AB-120
仓库库存编号：
DS1245AB-120-ND
别名：DS1245AB120
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 120ns 24-EDIP
型号：
DS1220AD-120
仓库库存编号：
DS1220AD-120-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
含铅
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IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 120ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-120IND
仓库库存编号：
DS1230Y-120IND-ND
规格：写周期时间 - 字，页 120ns,
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