以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE14A
  仓库库存编号：1086-11971-ND
  别名：1086-11971
  1086-11971-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE14AE3
  仓库库存编号：1086-11972-ND
  别名：1086-11972
  1086-11972-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE15A
  仓库库存编号：1086-11975-ND
  别名：1086-11975
  1086-11975-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE15AE3
  仓库库存编号：1086-11976-ND
  别名：1086-11976
  1086-11976-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 16VWM 26VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE16A
  仓库库存编号：1086-11979-ND
  别名：1086-11979
  1086-11979-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 16VWM 26VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE16AE3
  仓库库存编号：1086-11980-ND
  别名：1086-11980
  1086-11980-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE17A
  仓库库存编号：1086-11983-ND
  别名：1086-11983
  1086-11983-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE17AE3
  仓库库存编号：1086-11984-ND
  别名：1086-11984
  1086-11984-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE18A
  仓库库存编号：1086-11985-ND
  别名：1086-11985
  1086-11985-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE18AE3
  仓库库存编号：1086-11986-ND
  别名：1086-11986
  1086-11986-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE20A
  仓库库存编号：1086-11987-ND
  别名：1086-11987
  1086-11987-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE20AE3
  仓库库存编号：1086-11988-ND
  别名：1086-11988
  1086-11988-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE22A
  仓库库存编号：1086-11989-ND
  别名：1086-11989
  1086-11989-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE22AE3
  仓库库存编号：1086-11990-ND
  别名：1086-11990
  1086-11990-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE24A
  仓库库存编号：1086-11991-ND
  别名：1086-11991
  1086-11991-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE24AE3
  仓库库存编号：1086-11992-ND
  别名：1086-11992
  1086-11992-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE26A
  仓库库存编号：1086-11993-ND
  别名：1086-11993
  1086-11993-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE26AE3
  仓库库存编号：1086-11994-ND
  别名：1086-11994
  1086-11994-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE28A
  仓库库存编号：1086-11995-ND
  别名：1086-11995
  1086-11995-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE28AE3
  仓库库存编号：1086-11996-ND
  别名：1086-11996
  1086-11996-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE30A
  仓库库存编号：1086-11997-ND
  别名：1086-11997
  1086-11997-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE30AE3
  仓库库存编号：1086-11998-ND
  别名：1086-11998
  1086-11998-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE33A
  仓库库存编号：1086-11999-ND
  别名：1086-11999
  1086-11999-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE33AE3
  仓库库存编号：1086-12000-ND
  别名：1086-12000
  1086-12000-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB
  
  型号：MXLSMCGLCE36A
  仓库库存编号：1086-12001-ND
  别名：1086-12001
  1086-12001-MIL
  
  规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
• 
  
  含铅
• 搜索