以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 2.2A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13dB 52W NI-1230
  
  型号：MRF5P21240HR6
  仓库库存编号：MRF5P21240HR6-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 1.99GHz 13dB 26W NI-880
  
  型号：MRF5S19130HR3
  仓库库存编号：MRF5S19130HR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 26W NI-880
  
  型号：MRF5S19130HR5
  仓库库存编号：MRF5S19130HR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 1.99GHz 13dB 26W NI-880S
  
  型号：MRF5S19130HSR3
  仓库库存编号：MRF5S19130HSR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 26W NI-880S
  
  型号：MRF5S19130HSR5
  仓库库存编号：MRF5S19130HSR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  IC RF PWR AMP 26V 900MW 1.5-PLD
  详细描述：RF Amplifier IC Cellular, CDMA, EDGE, GSM, TDMA, W-CDMA 800MHz ~ 2.1GHz PLD-1.5
  
  型号：MW4IC001MR4
  仓库库存编号：MW4IC001MR4-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  IC RF PWR AMP 26V 900MW 1.5-PLD
  详细描述：RF Amplifier IC Cellular, CDMA, EDGE, GSM, TDMA, W-CDMA 800MHz ~ 2.1GHz PLD-1.5
  
  型号：MW4IC001NR4
  仓库库存编号：MW4IC001NR4-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  AMP SI-MMIC 6V 15MA SOT-343
  详细描述：RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 3GHz PG-SOT343-4
  
  型号：BGA420E6327BTSA1
  仓库库存编号：BGA420E6327BTSA1CT-ND
  别名：BGA420E6327
  BGA420E6327INCT
  BGA420E6327INCT-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.88GHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 500mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 13dB 60W NI-780
  
  型号：MRF18060ALR5
  仓库库存编号：MRF18060ALR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.88GHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 500mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 13dB 60W NI-780
  
  型号：MRF18060ALR3
  仓库库存编号：MRF18060ALR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI-400
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 300mA 1.96GHz 13dB 30W NI-400
  
  型号：MRF19030LR5
  仓库库存编号：MRF19030LR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI-400
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 300mA 1.96GHz 13dB 30W NI-400
  
  型号：MRF19030LR3
  仓库库存编号：MRF19030LR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 300mA 1.96GHz 13dB 30W NI-400S
  
  型号：MRF19030LSR3
  仓库库存编号：MRF19030LSR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 850mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780S
  
  型号：MRF19085LSR3
  仓库库存编号：MRF19085LSR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 850mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780
  
  型号：MRF19085LR5
  仓库库存编号：MRF19085LR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 850mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780
  
  型号：MRF19085LR3
  仓库库存编号：MRF19085LR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 300mA 1.96GHz 13dB 30W NI-400S
  
  型号：MRF19030LSR5
  仓库库存编号：MRF19030LSR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 2.14GHz 13dB 30W NI-400
  
  型号：MRF21030LR5
  仓库库存编号：MRF21030LR5-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 2.14GHz 13dB 30W NI-400
  
  型号：MRF21030LR3
  仓库库存编号：MRF21030LR3-ND
  
  规格：增益 13dB,
• 无铅
• 搜索