规格:增益 15.9dB,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
IC 400MHZ CASCADEABLE AMP 6-SON
详细描述:RF Amplifier IC Cellular, CDMA, TDMA, PCS 50MHz ~ 400MHz 6-VSON (2x2)
型号:
THS9000DRWT
仓库库存编号:
296-19707-1-ND
别名:296-19707-1
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
IC DRVR AMP HI LINEARITY SOT89A
详细描述:RF Amplifier IC W-CDMA 500MHz ~ 2.8GHz SOT-89A
型号:
MMG15241HT1
仓库库存编号:
MMG15241HT1CT-ND
别名:MMG15241HT1CT
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Broadcom Limited
IC AMP LO NSE LNA 7X10MM 36MCOB
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 1.71GHz ~ 1.85GHz 36-MCOB (10 x 7)
型号:
ALM-11236-TR1G
仓库库存编号:
ALM-11236-TR1G-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
搜索
Broadcom Limited
IC AMP LO NSE LNA 7X10MM 36MCOB
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 1.71GHz ~ 1.85GHz 36-MCOB (10 x 7)
型号:
ALM-11236-BLKG
仓库库存编号:
516-2650-ND
别名:516-2650
ALM-11236-BLKG-ND
ALM11236BLKG
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP LNA MMIC SGL-BAND TSLP-7
详细描述:RF Amplifier IC UMTS 700MHz, 800MHz TSNP-7-1
型号:
BGA713N7E6327XTSA1
仓库库存编号:
BGA713N7E6327XTSA1-ND
别名:SP001061042
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ
详细描述:RF Mosfet LDMOS 2.4GHz ~ 2.5GHz 15.9dB 250W OM-780-2
型号:
MHT1003NR3
仓库库存编号:
MHT1003NR3-ND
别名:935312454528
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-36260-2
型号:
PTFA192001EV4R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFA192001EV4R250XTMA1TR-ND
别名:PTFA192001E V4 R250
PTFA192001E V4 R250-ND
SP000393367
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Infineon Technologies
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 15.9dB 200W H-36260-2
型号:
PTFA192001EV4R0XTMA1
仓库库存编号:
PTFA192001EV4R0XTMA1-ND
别名:SP001422970
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Texas Instruments
IC 400MHZ CASCADEABLE AMP 6-SON
详细描述:RF Amplifier IC Cellular, CDMA, TDMA, PCS 50MHz ~ 750MHz 6-SON Exposed Pad (2x2)
型号:
THS9000DRDT
仓库库存编号:
296-16692-1-ND
别名:296-16692-1
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 750mA 1.88GHz 15.9dB 50W SOT539B
型号:
BLF8G20LS-260A,112
仓库库存编号:
BLF8G20LS-260A,112-ND
别名:934067196112
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 750mA 1.88GHz 15.9dB 50W SOT539B
型号:
BLF8G20LS-260A,118
仓库库存编号:
BLF8G20LS-260A,118-ND
别名:934067196118
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.88GHz 15.9dB 44W NI-1230
型号:
MRF6P18190HR5
仓库库存编号:
MRF6P18190HR5-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.88GHz 15.9dB 44W NI-1230
型号:
MRF6P18190HR6
仓库库存编号:
MRF6P18190HR6-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.9dB 23W NI-780
型号:
MRF6S21100HR3
仓库库存编号:
MRF6S21100HR3-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.9dB 23W NI-780
型号:
MRF6S21100HR5
仓库库存编号:
MRF6S21100HR5-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.9dB 23W NI-780S
型号:
MRF6S21100HSR3
仓库库存编号:
MRF6S21100HSR3-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.9dB 23W NI-780S
型号:
MRF6S21100HSR5
仓库库存编号:
MRF6S21100HSR5-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-36260-2
型号:
PTFA192001EV4XWSA1
仓库库存编号:
PTFA192001EV4XWSA1TR-ND
别名:PTFA192001E V4
PTFA192001E V4-ND
SP000376070
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-37260-2
型号:
PTFA192001FV4FWSA1
仓库库存编号:
PTFA192001FV4FWSA1-ND
别名:PTFA192001F V4
PTFA192001F V4-ND
规格:增益 15.9dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-37260-2
型号:
PTFA192001F V4 R250
仓库库存编号:
PTFA192001F V4 R250-ND
别名:SP000393369
规格:增益 15.9dB,
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