规格:增益 19.7dB,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Broadcom Limited
IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
详细描述:RF Amplifier IC 100MHz ~ 1.5GHz SOT-363
型号:
MGA-68563-TR1G
仓库库存编号:
516-2130-1-ND
别名:516-2130-1
规格:增益 19.7dB,
无铅
搜索
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W SOT502B
型号:
BLF8G10LS-160,118
仓库库存编号:
568-8671-1-ND
别名:568-8671-1
规格:增益 19.7dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780H-2L
型号:
MMRF1009HR5
仓库库存编号:
MMRF1009HR5CT-ND
别名:MMRF1009HR5CT
规格:增益 19.7dB,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
HEMT N-CH 28V 100W DC-2000MHZ
详细描述:RF Mosfet HEMT 28V 700mA 0Hz ~ 2GHz 19.7dB
型号:
NPT1010B
仓库库存编号:
1465-1414-ND
别名:1465-1414
规格:增益 19.7dB,
无铅
搜索
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W LDMOST
型号:
BLF8G10L-160,118
仓库库存编号:
BLF8G10L-160,118-ND
别名:934065907118
BLF8G10L-160118
规格:增益 19.7dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W LDMOST
型号:
BLF8G10L-160,112
仓库库存编号:
BLF8G10L-160,112-ND
别名:934065907112
BLF8G10L-160112
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780S
型号:
MMRF1009HSR5
仓库库存编号:
MMRF1009HSR5-ND
别名:935315335178
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780S
型号:
MRF6V12500HSR5
仓库库存编号:
MRF6V12500HSR5-ND
别名:935314145178
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780
型号:
MRF6V12500HR5
仓库库存编号:
MRF6V12500HR5CT-ND
别名:MRF6V12500HR5CT
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894.2MHz 19.7dB 160W SOT502B
型号:
BLF4G10LS-160,112
仓库库存编号:
568-2392-ND
别名:568-2392
934058738112
BLF4G10LS-160
BLF4G10LS-160-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894MHz 19.7dB 160W LDMOST
型号:
BLF4G10-160,112
仓库库存编号:
BLF4G10-160,112-ND
别名:934058737112
BLF4G10-160
BLF4G10-160-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 880MHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 880MHz 19.7dB 33W NI-780
型号:
MRF5S9150HR3
仓库库存编号:
MRF5S9150HR3-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 880MHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 880MHz 19.7dB 33W NI-780
型号:
MRF5S9150HR5
仓库库存编号:
MRF5S9150HR5-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 880MHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 880MHz 19.7dB 33W NI-780
型号:
MRF5S9150HSR3
仓库库存编号:
MRF5S9150HSR3-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 880MHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 880MHz 19.7dB 33W NI-780S
型号:
MRF5S9150HSR5
仓库库存编号:
MRF5S9150HSR5-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.6GHz ~ 1.66GHz 19.7dB 32W NI-780
型号:
MRF7S16150HR3
仓库库存编号:
MRF7S16150HR3-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.6GHz ~ 1.66GHz 19.7dB 32W NI-780
型号:
MRF7S16150HR5
仓库库存编号:
MRF7S16150HR5-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.6GHz ~ 1.66GHz 19.7dB 32W NI-780S
型号:
MRF7S16150HSR3
仓库库存编号:
MRF7S16150HSR3-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.6GHz ~ 1.66GHz 19.7dB 32W NI-780S
型号:
MRF7S16150HSR5
仓库库存编号:
MRF7S16150HSR5-ND
规格:增益 19.7dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780S
型号:
MRF6V12500HSR3
仓库库存编号:
MRF6V12500HSR3-ND
规格:增益 19.7dB,
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