规格:增益 18dB,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(185)
分立半导体产品
(140)
射频/IF 和 RFID
(45)
筛选品牌
Ampleon USA Inc. (58)
Analog Devices Inc. (15)
Microchip Technology (1)
Broadcom Limited (10)
CEL (1)
Crystek Corporation (1)
Infineon Technologies (33)
Linx Technologies Inc. (1)
M/A-Com Technology Solutions (7)
Maxim Integrated (1)
Microsemi Corporation (1)
Microwave Technology Inc. (2)
NXP USA Inc. (38)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (2)
Rohm Semiconductor (1)
Siretta Ltd (1)
Skyworks Solutions Inc. (2)
STMicroelectronics (4)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Cree/Wolfspeed (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2.6A 1.47GHz ~ 1.51GHz 18dB 85W CDFM4
型号:
BLF7G15LS-300P,118
仓库库存编号:
568-12774-1-ND
别名:568-12774-1
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
LOW NOISE AMPLIFIER,70-3250MHZ,2
详细描述:RF Amplifier IC 50MHz ~ 4GHz 8-PDFN (2x2)
型号:
MAAM-011229-TR1000
仓库库存编号:
1465-1802-1-ND
别名:1465-1802-1
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 960MHZ 16-PFP
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 25mA 960MHz 18dB 37dBm 16-PFP
型号:
MRF9002NR2
仓库库存编号:
MRF9002NR2-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 GULL
型号:
MW6S010GMR1
仓库库存编号:
MW6S010GMR1-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
型号:
MW6S010MR1
仓库库存编号:
MW6S010MR1-ND
规格:增益 18dB,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 945MHZ TO272-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 450mA 945MHz 18dB 60W TO-272-2
型号:
MRF9060NBR1
仓库库存编号:
MRF9060NBR1-ND
规格:增益 18dB,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 945MHZ TO270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 450mA 945MHz 18dB 60W TO-270-2
型号:
MRF9060NR1
仓库库存编号:
MRF9060NR1-ND
规格:增益 18dB,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780
型号:
MRF7S19080HR3
仓库库存编号:
MRF7S19080HR3-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780
型号:
MRF7S19080HR5
仓库库存编号:
MRF7S19080HR5-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S
型号:
MRF7S19080HSR3
仓库库存编号:
MRF7S19080HSR3-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S
型号:
MRF7S19080HSR5
仓库库存编号:
MRF7S19080HSR5-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.17GHz 18dB 22W NI-780
型号:
MRF7S21080HR3
仓库库存编号:
MRF7S21080HR3-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.17GHz 18dB 22W NI-780
型号:
MRF7S21080HR5
仓库库存编号:
MRF7S21080HR5-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.17GHz 18dB 22W NI-780S
型号:
MRF7S21080HSR5
仓库库存编号:
MRF7S21080HSR5-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-30265
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 550mA 1.5GHz 18dB 45W H-30265-2
型号:
PTF140451E V1
仓库库存编号:
PTF140451E V1-ND
别名:SP000102183
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-31265
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 550mA 1.5GHz 18dB 45W H-31265-2
型号:
PTF140451F V1
仓库库存编号:
PTF140451F V1-ND
别名:SP000104527
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 900MHz 18dB 150W H-30248-2
型号:
PTFA081501E V1
仓库库存编号:
PTFA081501E V1-ND
别名:SP000082730
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 900MHz 18dB 150W H-31248-2
型号:
PTFA081501F V1
仓库库存编号:
PTFA081501F V1-ND
别名:SP000082729
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.95A 894MHz 18dB 220W H-36260-2
型号:
PTFA082201E V1
仓库库存编号:
PTFA082201E V1-ND
别名:SP000235922
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.95A 894MHz 18dB 220W H-36260-2
型号:
PTFA082201EV4XWSA1
仓库库存编号:
PTFA082201EV4XWSA1-ND
别名:PTFA082201E V4
PTFA082201E V4-ND
SP000376062
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.95A 894MHz 18dB 220W H-36260-2
型号:
PTFA082201EV4R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFA082201EV4R250XTMA1TR-ND
别名:PTFA082201E V4 R250
PTFA082201E V4 R250-ND
SP000408200
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.95A 894MHz 18dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA082201F V1
仓库库存编号:
PTFA082201F V1-ND
别名:SP000235924
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.95A 894MHz 18dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA082201FV4XWSA1
仓库库存编号:
PTFA082201FV4XWSA1-ND
别名:PTFA082201F V4
PTFA082201F V4-ND
SP000376063
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.95A 894MHz 18dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA082201FV4R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFA082201FV4R250XTMA1TR-ND
别名:PTFA082201F V4 R250
PTFA082201F V4 R250-ND
SP000408202
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 100V 1.4GHZ NI780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 150mA 1.4GHz 18dB 330W NI-780
型号:
MRF6V14300HR3
仓库库存编号:
MRF6V14300HR3-ND
规格:增益 18dB,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号