规格:增益 18.5dB,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IC RF CASCADE AMP SOT-343
详细描述:RF Amplifier IC Bluetooth 100MHz ~ 3GHz PG-SOT343-4
型号:
BGA427E6327BTSA1
仓库库存编号:
BGA427E6327BTSA1CT-ND
别名:BGA427E6327INCT
BGA427E6327INCT-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 960MHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 600mA 960MHz 18.5dB 70W NI-780
型号:
MRF9080LR5
仓库库存编号:
MRF9080LR5-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 960MHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 600mA 960MHz 18.5dB 70W NI-780
型号:
MRF9080LR3
仓库库存编号:
MRF9080LR3-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
详细描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BFR 183W E6327
仓库库存编号:
BFR183WE6327INCT-ND
别名:BFR183WE6327
BFR183WE6327INCT
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
型号:
PTFA080551E V1
仓库库存编号:
PTFA080551E V1-ND
别名:SP000224767
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 960MHz 18.5dB 55W H-37265-2
型号:
PTFA080551F V1
仓库库存编号:
PTFA080551F V1-ND
别名:SP000224769
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-63248-2
型号:
PTFA091201GL V1
仓库库存编号:
PTFA091201GL V1-ND
别名:SP000229298
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-63248-2
型号:
PTFA091201GL V1 R250
仓库库存编号:
PTFA091201GL V1 R250-ND
别名:SP000465360
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-64248-2
型号:
PTFA091201HL V1
仓库库存编号:
PTFA091201HL V1-ND
别名:SP000384432
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-64248-2
型号:
PTFA091201HL V1 R250
仓库库存编号:
PTFA091201HL V1 R250-ND
别名:SP000465362
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-36260-2
型号:
PTFA092201E V1
仓库库存编号:
PTFA092201E V1-ND
别名:SP000235920
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA092201F V1
仓库库存编号:
PTFA092201F V1-ND
别名:SP000235921
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA092201FV4XWSA1
仓库库存编号:
PTFA092201FV4XWSA1TR-ND
别名:PTFA092201F V4
PTFA092201F V4-ND
SP000434232
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA092201FV4R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFA092201FV4R250XTMA1TR-ND
别名:PTFA092201F V4 R250
PTFA092201F V4 R250-ND
SP000434234
规格:增益 18.5dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780
型号:
MRF7S21210HR3
仓库库存编号:
MRF7S21210HR3-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780
型号:
MRF7S21210HR5
仓库库存编号:
MRF7S21210HR5-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780S
型号:
MRF7S21210HSR3
仓库库存编号:
MRF7S21210HSR3-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780S
型号:
MRF7S21210HSR5
仓库库存编号:
MRF7S21210HSR5-ND
规格:增益 18.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT323
详细描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BFR183WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BFR183WH6327XTSA1TR-ND
别名:BFR 183W H6327
BFR 183W H6327-ND
SP000750422
规格:增益 18.5dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
型号:
BLC6G22LS-75,112
仓库库存编号:
BLC6G22LS-75,112-ND
别名:934061298112
规格:增益 18.5dB,
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NXP USA Inc.
IC AMP LNA 5V 2500MHZ 8HWSON
详细描述:RF Amplifier IC GSM, LTE, W-CDMA 2GHz ~ 4GHz 8-HWSON (2x2)
型号:
BGU8053,118
仓库库存编号:
BGU8053118-ND
别名:935298613118
BGU8053118
规格:增益 18.5dB,
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