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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Broadcom Limited
IC RF AMP DVR 0.25W SOT89
详细描述:RF Amplifier IC Cellular, PCS, W-CDMA, WLLand 250MHz ~ 3GHz SOT-89-3
型号:
MGA-30489-BLKG
仓库库存编号:
516-2444-1-ND
别名:516-2444
516-2444-ND
MGA30489BLKG
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Cree/Wolfspeed
RF MOSFET HEMT 50V 440224
详细描述:RF Mosfet HEMT 50V 150mA 4.4GHz ~ 5.9GHz 13.3dB 76W 440224
型号:
CGHV59070F
仓库库存编号:
CGHV59070F-ND
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP SI-MMIC TSNP-6
详细描述:RF Amplifier IC LTE 728MHz ~ 960MHz TSNP-6-2
型号:
BGA7L1N6E6327XTSA1
仓库库存编号:
BGA7L1N6E6327XTSA1CT-ND
别名:BGA7L1N6E6327XTSA1CT
规格:增益 13.3dB,
无铅
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STMicroelectronics
RF MOSFET N CH 80V 12A M243
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2GHz 13.3dB 54W M243
型号:
LET20045C
仓库库存编号:
497-13349-ND
别名:497-13349
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 10mA 2.45GHz 13.3dB 180W SOT539A
型号:
BLF2425M6L180P,118
仓库库存编号:
BLF2425M6L180P,118-ND
别名:934066104118
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 10mA 2.45GHz 13.3dB 180W SOT539B
型号:
BLF2425M6LS180P:11
仓库库存编号:
BLF2425M6LS180P:11-ND
别名:934066105118
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 10mA 2.45GHz 13.3dB 180W SOT539A
型号:
BLF2425M6L180P,112
仓库库存编号:
BLF2425M6L180P,112-ND
别名:934066104112
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 10mA 2.45GHz 13.3dB 180W SOT539B
型号:
BLF2425M6LS180P,11
仓库库存编号:
BLF2425M6LS180P,11-ND
别名:934066105112
规格:增益 13.3dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230-4H
型号:
MMRF1013HR5
仓库库存编号:
MMRF1013HR5-ND
别名:935322103178
规格:增益 13.3dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230-4S
型号:
MMRF1013HSR5
仓库库存编号:
MMRF1013HSR5-ND
别名:935318222178
规格:增益 13.3dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230
型号:
MRF8P29300HR6
仓库库存编号:
MRF8P29300HR6-ND
别名:935319706128
规格:增益 13.3dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230S
型号:
MRF8P29300HSR6
仓库库存编号:
MRF8P29300HSR6-ND
别名:935310588128
规格:增益 13.3dB,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH PW-MINI
详细描述:RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI
型号:
RFM04U6P(TE12L,F)
仓库库存编号:
RFM04U6P(TE12LF)CT-ND
别名:RFM04U6P(TE12LF)CT
规格:增益 13.3dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230
型号:
MRF8P29300HR5
仓库库存编号:
MRF8P29300HR5-ND
规格:增益 13.3dB,
无铅
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