规格:噪声系数 1.8dB,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(21)
分立半导体产品
(5)
射频/IF 和 RFID
(16)
筛选品牌
Analog Devices Inc. (8)
CEL (2)
Infineon Technologies (4)
Maxim Integrated (5)
Microwave Technology Inc. (1)
NXP USA Inc. (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Analog Devices Inc.
IC AMP LNA 7-14GHZ 4X4QFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 7GHz ~ 14GHz 24-QFN (4x4)
型号:
HMC564LC4TR
仓库库存编号:
1127-1058-1-ND
别名:1127-1058-1
1127-2838-1
1127-2838-1-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC MMIC LNA GAAS 32SMD
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 300MHz ~ 20GHz 32-QFN (5x5)
型号:
HMC1049LP5E
仓库库存编号:
1127-1667-ND
别名:1127-1667
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC AMP LNA STEP ATTEN 12TQFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 850MHz ~ 940MHz 12-TQFN (3x3)
型号:
MAX2373ETC+
仓库库存编号:
MAX2373ETC+-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC MMIC GAAS LOW NOISE AMP 24QFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 2GHz ~ 12GHz 24-CSMT (4x4)
型号:
HMC772LC4TR
仓库库存编号:
1127-3532-1-ND
别名:1127-3532-1
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Microwave Technology Inc.
FET RF 5V 18GHZ PKG 73
详细描述:RF Mosfet MESFET 3V 30mA 500MHz ~ 18GHz 6.5dB 24.5dBm 73
型号:
MWT-A973
仓库库存编号:
1203-1034-1-ND
别名:1203-1034-1
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC AMP MMIC GAAS LN 16QFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 5GHz ~ 10GHz 16-QFN (3x3)
型号:
HMC902LP3ETR
仓库库存编号:
1127-1074-1-ND
别名:1127-1074-1
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC LNA W/ATTEN AND VGA 12TQFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 100MHz ~ 1GHz 12-TQFN (3x3)
型号:
MAX2371ETC+
仓库库存编号:
MAX2371ETC+-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC AMP LNA 7-14GHZ DIE
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 7GHz ~ 13.5GHz Die
型号:
HMC564
仓库库存编号:
1127-3444-ND
别名:1127-3444
HMC564-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC AMP LNA 0.3-3.0GHZ SOT26
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 300MHz ~ 3GHz SOT-26
型号:
HMC374ETR
仓库库存编号:
1127-1031-1-ND
别名:1127-1031-1
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC LNA W/ATTEN AND VGA 12TQFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 100MHz ~ 1GHz 12-TQFN (3x3)
型号:
MAX2371ETC+T
仓库库存编号:
MAX2371ETC+T-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC AMP LNA STEP ATTEN 12TQFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 850MHz ~ 940MHz 12-TQFN (3x3)
型号:
MAX2373ETC+T
仓库库存编号:
MAX2373ETC+T-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC MMIC LNA 0.3-3.0GHZ SOT26
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 300MHz ~ 3GHz SOT-26
型号:
HMC374
仓库库存编号:
HMC374-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
含铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC AMP LNA 7-14GHZ DIE
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 7GHz ~ 13.5GHz Die
型号:
HMC564-SX
仓库库存编号:
1127-2617-ND
别名:1127-2617
HMC564SX
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
CEL
IC AMP LOW NOISE 6-MINIMOLD
详细描述:RF Amplifier IC Broadcast Radio 2.32GHz ~ 2.36GHz 6-Minimold
型号:
UPG2310TK-A
仓库库存编号:
UPG2310TK-A-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
CEL
IC AMP LOW NOISE 6-MINIMOLD
详细描述:RF Amplifier IC Broadcast Radio 2.32GHz ~ 2.36GHz 6-Minimold
型号:
UPG2310TK-E2-A
仓库库存编号:
UPG2310TK-E2-A-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC LNA W/STEP ATTEN & VGA 12QFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 850MHz ~ 940MHz 12-QFN (3x3)
型号:
MAX2373EGC+T
仓库库存编号:
MAX2373EGC+T-ND
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
RF AMP SIGE 100MHZ-2.5GHZ 6MLPD
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 100MHz ~ 2.5GHz 6-MLPD EP (1.5x2)
型号:
MBC13917EPR2
仓库库存编号:
MBC13917EPR2CT-ND
别名:MBC13917EPR2CT
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3123RE6327HTSA1
仓库库存编号:
BG3123RE6327HTSA1TR-ND
别名:BG 3123R E6327
BG 3123R E6327-ND
BG3123RE6327XT
SP000015126
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3123E6327HTSA1
仓库库存编号:
BG3123E6327HTSA1TR-ND
别名:BG 3123 E6327
BG 3123 E6327-ND
SP000014846
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3123H6327XTSA1
仓库库存编号:
BG3123H6327XTSA1TR-ND
别名:BG 3123 H6327
BG 3123 H6327-ND
SP000753490
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3123RH6327XTSA1
仓库库存编号:
BG3123RH6327XTSA1TR-ND
别名:BG 3123R H6327
BG 3123R H6327-ND
SP000753492
规格:噪声系数 1.8dB,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号