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Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 4.5V 280mA 2GHz 15dB 29dBm 8-LPCC (2x2)
型号：
ATF-501P8-TR2
仓库库存编号：
ATF-501P8-TR2-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
搜索
Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 4.5V 280mA 2GHz 15dB 29dBm 8-LPCC (2x2)
型号：
ATF-501P8-TR1
仓库库存编号：
ATF-501P8-TR1-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Analog Devices Inc.
IC MMIC LNA AMP 1.7-2.2GHZ 16QFN
详细描述：RF Amplifier IC CDMA, GSM, WCDMA 1.7GHz ~ 2.2GHz 16-SMT (3x3)
型号：
HMC375LP3ETR
仓库库存编号：
HMC375LP3ETR-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Analog Devices Inc.
IC MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN
详细描述：RF Amplifier IC CDMA, GSM 700MHz ~ 1GHz
型号：
HMC372LP3ETR
仓库库存编号：
HMC372LP3ETR-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN
详细描述：RF Amplifier IC CDMA, GSM 700MHz ~ 1GHz
型号：
HMC373LP3ETR
仓库库存编号：
HMC373LP3ETR-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
IC MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN
详细描述：RF Amplifier IC CDMA, GSM 350MHz ~ 550MHz 16-SMT (3x3)
型号：
HMC356LP3TR
仓库库存编号：
HMC356LP3TR-ND
规格：噪声系数 1dB,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 15V 10mA 200MHz 25dB SOT-143B
型号：
BF996S,215
仓库库存编号：
568-6180-1-ND
别名：568-6180-1
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
IC MMIC AMP LNA XSON6
详细描述：RF Amplifier IC Cellular 2.3GHz ~ 2.69GHz 6-XSON, SOT1232 (1.1x0.7)
型号：
BGS8H2X
仓库库存编号：
BGS8H2X-ND
别名：934069191115
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 10mA 200MHz CMPAK-4
型号：
BF904WR,115
仓库库存编号：
568-6173-1-ND
别名：568-6173-1
BF904WR115
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH DUAL SOT343R
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 30dB CMPAK-4
型号：
BF1217WR,115
仓库库存编号：
568-5503-1-ND
别名：568-5503-1
BF1217WR115
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 19mA 400MHz 30dB 6-TSSOP
型号：
BF1216,115
仓库库存编号：
568-6159-1-ND
别名：568-6159-1
BF1216115
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB SOT-143R
型号：
BF1201R,215
仓库库存编号：
568-6149-1-ND
别名：568-6149-1
BF1201R215
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB SOT-143B
型号：
BF1201,215
仓库库存编号：
568-6151-1-ND
别名：568-6151-1
BF1201215
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 10mA 200MHz SOT-143B
型号：
BF904,215
仓库库存编号：
568-6174-1-ND
别名：568-6174-1
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB CMPAK-4
型号：
BF1201WR,115
仓库库存编号：
568-6150-1-ND
别名：568-6150-1
BF1201WR115
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 10mA 200MHz SOT-143R
型号：
BF904R,215
仓库库存编号：
568-6172-1-ND
别名：568-6172-1
BF904R215
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 27dB 6-TSSOP
型号：
BF1203,115
仓库库存编号：
568-6155-1-ND
别名：568-6155-1
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 4V 10mA 200MHz SOT-143R
型号：
BF904AR,215
仓库库存编号：
568-6170-1-ND
别名：568-6170-1
BF904AR215
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 4V 10mA 200MHz SOT-143B
型号：
BF904A,215
仓库库存编号：
568-6171-1-ND
别名：568-6171-1
BF904A215
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Maxim Integrated
IC AMP LNA HSPA/LTE 6-ULGA
详细描述：RF Amplifier IC HSPA, LTE 850MHz ~ 1GHz 6-UTLGA (1.5x1.0)
型号：
MAX2668EYT+T
仓库库存编号：
MAX2668EYT+T-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Maxim Integrated
IC AMP LNA HSPA/LTE 6-ULGA
详细描述：RF Amplifier IC HSPA, LTE 850MHz ~ 1GHz 6-UTLGA (1.5x1.0)
型号：
MAX2668EYT+
仓库库存编号：
MAX2668EYT+-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Analog Devices Inc.
IC AMP DVGA LNA 6-BIT 32-QFN
详细描述：RF Amplifier IC WiMAX / WiBro 1.7GHz ~ 2.2GHz 24-QFN (5x5)
型号：
HMC708LP5E
仓库库存编号：
1127-1540-ND
别名：1127-1540
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Analog Devices Inc.
IC MMIC AMP LNA PHEMPT 24-QFN
详细描述：RF Amplifier IC LTE, WiMax 1.3GHz ~ 2.9GHz 24-SMT (4x4)
型号：
HMC719LP4E
仓库库存编号：
1127-1546-ND
别名：1127-1546
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Broadcom Limited
FET RF 5V 12GHZ 0402
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 8dBm 0402
型号：
VMMK-1225-TR1G
仓库库存编号：
516-3241-1-ND
别名：516-3241-1
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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Broadcom Limited
FET RF 5V 12GHZ 0402
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 0402
型号：
VMMK-1225-TR2G
仓库库存编号：
VMMK-1225-TR2G-ND
规格：噪声系数 1dB,
无铅
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