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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
  
  型号：DMT3011LDT-7
  仓库库存编号：DMT3011LDT-7DICT-ND
  别名：DMT3011LDT-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-TP
  仓库库存编号：BSS138W-TPMSCT-ND
  别名：BSS138W-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Comchip Technology
  TVS DIODES 5000W 48V SMC UNI-DIR
  
  型号：ATV50C480J-HF
  仓库库存编号：641-1924-1-ND
  别名：641-1924-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Comchip Technology
  TVS DIODES 5000W 48V SMC BI-DIRE
  
  型号：ATV50C480JB-HF
  仓库库存编号：641-1923-1-ND
  别名：641-1923-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TRPBF
  仓库库存编号：IRF7821PBFCT-ND
  别名：*IRF7821TRPBF
  IRF7821PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT2N300P3HV
  仓库库存编号：IXTT2N300P3HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 不受无铅要求限制
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832TRPBF
  仓库库存编号：IRF7832PBFCT-ND
  别名：*IRF7832TRPBF
  IRF7832PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 5VWM SOT143
  
  型号：CLPS145V0-G
  仓库库存编号：CLPS145V0-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 150V 8.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Tc） 32W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMN15H310SK3-13
  仓库库存编号：DMN15H310SK3-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6023LFGQ-13
  仓库库存编号：DMP6023LFGQ-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6023LFGQ-7
  仓库库存编号：DMP6023LFGQ-7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.3A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP2022LSSQ-13
  仓库库存编号：DMP2022LSSQ-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMT10H015LCG-13
  仓库库存编号：DMT10H015LCG-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMT10H015LCG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LCG-7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 5VWM 13VC SOT143
  
  型号：CLCS145V0-G
  仓库库存编号：641-1203-1-ND
  别名：641-1203-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 4.6A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H1D3SJ3
  仓库库存编号：DMJ70H1D3SJ3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSG0813NDIATMA1
  仓库库存编号：BSG0813NDIATMA1-ND
  别名：SP001241676
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSG0810NDIATMA1
  仓库库存编号：BSG0810NDIATMA1-ND
  别名：SP001241674
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：AUIRS20162STR
  仓库库存编号：AUIRS20162STR-ND
  别名：SP001512750
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7702A_101
  仓库库存编号：AON7702A_101-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 15A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD403_DELTA
  仓库库存编号：AOD403_DELTA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15.8A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7200_102
  仓库库存编号：AON7200_102-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TR
  仓库库存编号：IRF7821TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832TR
  仓库库存编号：IRF7832CT-ND
  别名：*IRF7832TR
  IRF7832CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7821GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7821GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）,
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