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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 430V 10A 130W TO263AB
详细描述:IGBT 430V 10A 130W Surface Mount TO-263AB
型号:
ISL9V2040S3S
仓库库存编号:
ISL9V2040S3S-ND
别名:ISL9V2040S3S_NL
ISL9V2040S3S_NL-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 430V 21A 150W TO252AA
详细描述:IGBT 430V 21A 150W Surface Mount TO-252AA
型号:
ISL9V3040D3S
仓库库存编号:
ISL9V3040D3S-ND
别名:ISL9V3040D3S_NL
ISL9V3040D3S_NL-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 430V 21A 150W TO263AB
详细描述:IGBT 430V 21A 150W Surface Mount TO-263AB
型号:
ISL9V3040S3S
仓库库存编号:
ISL9V3040S3S-ND
别名:ISL9V3040S3S_NL
ISL9V3040S3S_NL-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 390V 18A 100W TO263AB
详细描述:IGBT 390V 18A 100W Surface Mount TO-263AB
型号:
HGT1S14N36G3VLS
仓库库存编号:
HGT1S14N36G3VLS-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 390V 18A 100W TO262AA
详细描述:IGBT 390V 18A 100W Through Hole TO-262-3
型号:
HGT1S14N36G3VLT
仓库库存编号:
HGT1S14N36G3VLT-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 360V 21A 150W TO252AA
详细描述:IGBT 360V 21A 150W Surface Mount TO-252AA
型号:
ISL9V3036D3S
仓库库存编号:
ISL9V3036D3S-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 360V 21A 150W TO252AA
详细描述:IGBT 360V 21A 150W Surface Mount TO-252AA
型号:
ISL9V3036D3ST
仓库库存编号:
ISL9V3036D3ST-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 360V 21A 150W TO220AB
详细描述:IGBT 360V 21A 150W Through Hole TO-220AB
型号:
ISL9V3036P3
仓库库存编号:
ISL9V3036P3-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 360V 21A 150W TO263AB
详细描述:IGBT 360V 21A 150W Surface Mount TO-263AB
型号:
ISL9V3036S3S
仓库库存编号:
ISL9V3036S3S-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
详细描述:IGBT 395V 37.7A 150W Through Hole TO-262AA
型号:
HGT1S20N36G3VL
仓库库存编号:
HGT1S20N36G3VL-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 380V 20A 150W TO263AB
详细描述:IGBT 375V 20A 150W Surface Mount TO-263AB
型号:
HGT1S20N35G3VLS
仓库库存编号:
HGT1S20N35G3VLS-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 480V 51A 300W D2PAK
详细描述:IGBT 480V 51A 300W Surface Mount TO-263AB
型号:
ISL9V5045S3S
仓库库存编号:
ISL9V5045S3S-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM160-0055P3
仓库库存编号:
GWM160-0055P3-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM70-01P2
仓库库存编号:
GWM70-01P2-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1000A Chassis Mount Y3-Li
型号:
VMM1000-01P
仓库库存编号:
VMM1000-01P-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 1500A Chassis Mount Y3-Li
型号:
VMM1500-0075P
仓库库存编号:
VMM1500-0075P-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
型号:
VWM200-01P
仓库库存编号:
VWM200-01P-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 75V 340A V2
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 340A Through Hole V2-PAK
型号:
VWM350-0075P
仓库库存编号:
VWM350-0075P-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK
详细描述:IGBT 430V 15.5A 166.7W Surface Mount TO-263AB
型号:
ISL9V2540S3S
仓库库存编号:
ISL9V2540S3S-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 120A Chassis Mount SP1
型号:
APTDF100H1201G
仓库库存编号:
APTDF100H1201G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 120A Chassis Mount SP4
型号:
APTDF100H120G
仓库库存编号:
APTDF100H120G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 135A Chassis Mount SP4
型号:
APTDF100H60G
仓库库存编号:
APTDF100H60G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 285A Chassis Mount SP6
型号:
APTDF200H20G
仓库库存编号:
APTDF200H20G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP4
型号:
APTGT100A60TG
仓库库存编号:
APTGT100A60TG-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 150A 340W SP4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 150A 340W Chassis Mount SP4
型号:
APTGT100DA60TG
仓库库存编号:
APTGT100DA60TG-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
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