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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 12VWM 22.9VC SMAFLAT
  
  型号：SMTYF12A
  仓库库存编号：497-8761-1-ND
  别名：497-8761-1
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC DVR OCT HI SIDE W/PROT 28SOIC
  
  型号：AMIS39100PNPB3G
  仓库库存编号：AMIS39100PNPB3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC DVR OCT HI SIDE W/PROT 28SOIC
  
  型号：AMIS39100PNPB3RG
  仓库库存编号：AMIS39100PNPB3RG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV60TLM99T3G
  仓库库存编号：APTCV60TLM99T3G-ND
  别名：APTCV60TLM99T3GMI
  APTCV60TLM99T3GMI-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV90TL12T3G
  仓库库存编号：APTCV90TL12T3G-ND
  别名：APTCV90TL12T3GMI
  APTCV90TL12T3GMI-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC IGNITION COIL DRIVER POWERSO1
  
  型号：VBG15NB22T5SP-E
  仓库库存编号：VBG15NB22T5SP-E-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC IGNITION COIL DRIVER POWERSO1
  
  型号：VBG15NB22T5SPTR
  仓库库存编号：VBG15NB22T5SPTR-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC IGNITION COIL DRIVER POWERSO1
  
  型号：VBG15NB22T5TR-E
  仓库库存编号：VBG15NB22T5TR-E-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 400V 26.9A 166W DPAK
  详细描述：IGBT 400V 26.9A 166W Surface Mount TO-252AA
  
  型号：FGD3440G2
  仓库库存编号：FGD3440G2-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MODULE IGBT3 SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 100A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV60TLM45T3G
  仓库库存编号：APTCV60TLM45T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 184A 577W SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Single 600V 184A 577W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GT100DA60U
  仓库库存编号：VS-GT100DA60U-ND
  别名：VSGT100DA60U
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Powerex Inc.
  MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module
  
  型号：QJD1210010
  仓库库存编号：QJD1210010-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Powerex Inc.
  MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 900W Chassis Mount Module
  
  型号：QJD1210011
  仓库库存编号：QJD1210011-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48HTQFP
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 48-HTQFP (7x7)
  
  型号：PDRV8305NEPHPRQ1
  仓库库存编号：PDRV8305NEPHPRQ1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 206A（Tc） 300W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA1404P
  仓库库存编号：IRFBA1404P-ND
  别名：*IRFBA1404P
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 430V 20A 125W TO220AB
  详细描述：IGBT 430V 20A 125W Through Hole TO-220AB
  
  型号：92-0235
  仓库库存编号：92-0235-ND
  别名：*IRGB14C40L
  IRGB14C40L
  IRGB14C40L-ND
  SP001512168
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 430V 20A 125W D2PAK
  详细描述：IGBT 430V 20A 125W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS14C40L
  仓库库存编号：IRGS14C40L-ND
  别名：*IRGS14C40L
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
  
  型号：BTS282Z E3180A
  仓库库存编号：BTS282ZE3180AINCT-ND
  别名：BTS282ZE3180AINCT
  BTS282ZE3180ATINCT
  BTS282ZE3180ATINCT-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 174A（Tc） 330W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA1405P
  仓库库存编号：IRFBA1405P-ND
  别名：*IRFBA1405P
  Q1429145
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIB9343
  仓库库存编号：IRLIB9343-ND
  别名：*IRLIB9343
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU9343
  仓库库存编号：IRLU9343-ND
  别名：*IRLU9343
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR4343TRL
  仓库库存编号：IRLR4343CTL-ND
  别名：*IRLR4343TRL
  IRLR4343CTL
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 19A（Tc） 39W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIB4343
  仓库库存编号：IRLIB4343-ND
  别名：*IRLIB4343
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 430W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4232PBF
  仓库库存编号：IRFP4232PBF-ND
  别名：Q2102191
  SP001571078
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 430V 20A 125W TO262AA
  详细描述：IGBT 430V 20A 125W Through Hole TO-262
  
  型号：IRGSL14C40LPBF
  仓库库存编号：IRGSL14C40LPBF-ND
  别名：*IRGSL14C40LPBF
  SP001533022
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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