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• Rohm Semiconductor
  IGBT 650V 50A 174W TO-247N
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N
  
  型号：RGTH50TS65DGC11
  仓库库存编号：RGTH50TS65DGC11-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  IGBT 650V 48A 174W TO-247N
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 48A 174W Through Hole TO-247N
  
  型号：RGT50TS65DGC11
  仓库库存编号：RGT50TS65DGC11-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 430V 21A 150W TO263-6
  详细描述：IGBT 430V 21A 150W Surface Mount TO-263-6
  
  型号：FGB3040CS
  仓库库存编号：FGB3040CSCT-ND
  别名：FGB3040CSCT
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  IGBT 650V 70A 234W TO-247N
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
  
  型号：RGTH80TS65DGC11
  仓库库存编号：RGTH80TS65DGC11-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  IGBT 650V 85A 277W TO-247N
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
  
  型号：RGTH00TS65DGC11
  仓库库存编号：RGTH00TS65DGC11-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 80A 319.2W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 319.2W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW50N60DTPXKSA1
  仓库库存编号：IKW50N60DTPXKSA1-ND
  别名：SP001379678
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
  详细描述：IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW75N65ES5XKSA1
  仓库库存编号：IKW75N65ES5XKSA1-ND
  别名：SP001319684
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 70A 273W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4750DPBF
  仓库库存编号：IRGP4750DPBF-ND
  别名：SP001546176
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3
  
  型号：APTGT100BB60T3G
  仓库库存编号：APTGT100BB60T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV60HM45RT3G
  仓库库存编号：APTCV60HM45RT3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 290A 625W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT200DU60TG
  仓库库存编号：APTGT200DU60TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 750W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTGL180A1202G
  仓库库存编号：APTGL180A1202G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 430A 935W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT300A60TG
  仓库库存编号：APTGT300A60TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV60HM45RCT3G
  仓库库存编号：APTCV60HM45RCT3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 140A 517W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTGL120TA120TPG
  仓库库存编号：APTGL120TA120TPG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200V 305A 1000W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTGL240TL120G
  仓库库存编号：APTGL240TL120G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRLR9343TRPBF
  仓库库存编号：IRLR9343TRPBFCT-ND
  别名：IRLR9343TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
  详细描述：IGBT 650V 18A 70W Through Hole TO-220-3
  
  型号：IKP08N65F5XKSA1
  仓库库存编号：IKP08N65F5XKSA1-ND
  别名：SP000973408
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 187W TO263-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3
  
  型号：IGB30N60H3ATMA1
  仓库库存编号：IGB30N60H3ATMA1CT-ND
  别名：IGB30N60H3ATMA1CT
  IGB30N60H3CT
  IGB30N60H3CT-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
  详细描述：IGBT 650V 74A 255W Through Hole TO-220-3
  
  型号：IGP40N65H5XKSA1
  仓库库存编号：IGP40N65H5XKSA1-ND
  别名：SP001001738
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 80A 305W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW40N60R
  仓库库存编号：IHW40N60R-ND
  别名：IHW40N60RFKSA1
  SP000357222
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 428W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 140A 428W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IGW75N60H3
  仓库库存编号：IGW75N60H3-ND
  别名：IGW75N60H3FKSA1
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 430V 21A 150W TO252AA
  详细描述：IGBT 430V 21A 150W Surface Mount TO-252AA
  
  型号：ISL9V3040D3ST
  仓库库存编号：ISL9V3040D3STCT-ND
  别名：ISL9V3040D3ST_NLCT
  ISL9V3040D3ST_NLCT-ND
  ISL9V3040D3STCT
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 160A TO247
  详细描述：IGBT 600V 240A 750W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS66160DPBF
  仓库库存编号：IRGPS66160DPBF-ND
  别名：SP001548322
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIB9343PBF
  仓库库存编号：IRLIB9343PBF-ND
  别名：*IRLIB9343PBF
  SP001558256
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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