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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ918DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ918DT-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7635DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7635DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7635DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.5A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4884BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4884BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4884BDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7820DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7820DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7820DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR468DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR468DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR468DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS468DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS468DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS468DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4164DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4164DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4164DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR418DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 800V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DFM
型号:
DF08M-E3/45
仓库库存编号:
DF08M-E3/45GI-ND
别名:DF08M-E3/45-ND
DF08M-E3/45GI
DF08ME345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 1000V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DFM
型号:
DF10M-E3/45
仓库库存编号:
DF10M-E3/45GI-ND
别名:DF10M-E3/45-ND
DF10M-E3/45GI
DF10ME345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 50V DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Through Hole DFM
型号:
DF005M-E3/45
仓库库存编号:
DF005M-E3/45GI-ND
别名:DF005M-E3/45-ND
DF005M-E3/45GI
DF005ME345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5908DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5908DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5908DC-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7114DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7114DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4477DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4477DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4477DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 50V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole WOG
型号:
W005G-E4/51
仓库库存编号:
W005G-E4/51GI-ND
别名:W005G-E4/1
W005G-E4/1-ND
W005G-E4/1GI
W005G-E4/1GI-ND
W005G-E4/1TR
W005G-E4/1TR-ND
W005G-E4/51GI
W005GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 2A 400V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole WOG
型号:
2W04G-E4/51
仓库库存编号:
2W04G-E4/51GI-ND
别名:2W04G
2W04G-E4/51-ND
2W04G-E4/51GI
2W04G/1
2W04G/1-ND
2W04GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 600V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole WOG
型号:
W06G-E4/51
仓库库存编号:
W06G-E4/51GI-ND
别名:W06G-E4/51GI
W06G/1
W06G/1GI
W06G/1GI-ND
W06GE451
W06GGI
W06GGI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 50V 1PH WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole WOG
型号:
2W005G-E4/51
仓库库存编号:
2W005G-E4/51GI-ND
别名:2W005G-E4/51-ND
2W005GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 200V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole WOG
型号:
W02G-E4/51
仓库库存编号:
W02G-E4/51GI-ND
别名:W02G-E4/1
W02G-E4/1-ND
W02G-E4/1GI
W02G-E4/1GI-ND
W02G-E4/1TR
W02G-E4/1TR-ND
W02G-E4/51GI
W02GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 2A 600V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole WOG
型号:
2W06G-E4/51
仓库库存编号:
2W06G-E4/51GI-ND
别名:2W06G
2W06G-E4/1
2W06G-E4/1-ND
2W06G-E4/51-ND
2W06G-E4/51GI
2W06GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 200V 1PH WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole WOG
型号:
2W02G-E4/51
仓库库存编号:
2W02G-E4/51GI-ND
别名:2W02G-E4/51-ND
2W02G-E4/51GI
2W02GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 1000V 4SMD
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF10S-E3/45
仓库库存编号:
DF10S-E3/45GI-ND
别名:DF10S-E3/45-ND
DF10S-E3/45GI
DF10SE345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 600V DFS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF06S-E3/45
仓库库存编号:
DF06S-E3/45GI-ND
别名:DF06S-E3/45GI
DF06S-E3\45
DF06S-E3\45GI
DF06S-E3\45GI-ND
DF06SE345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 100V 1PH WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole WOG
型号:
2W01G-E4/51
仓库库存编号:
2W01G-E4/51GI-ND
别名:2W01G-E4/51-ND
2W01GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7228DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7228DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7228DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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