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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610PBF
仓库库存编号:
IRF610PBF-ND
别名:*IRF610PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7423DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7423DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7423DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6415DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6415DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6415DQ-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3460DV-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ478DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4455DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4455DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4455DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858BDP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4816BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4816BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4816BDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7949DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7949DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7949DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.5A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456CDP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7898DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7898DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7898DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 3A 50V KBPM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
型号:
3KBP005M-E4/51
仓库库存编号:
3KBP005M-E4/51GI-ND
别名:3KBP005M-E4/51-ND
3KBP005M-E4/51GI
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7922DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7922DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7922DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 100V 50NS 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DFM
型号:
EDF1BM-E3/45
仓库库存编号:
EDF1BM-E3/45GI-ND
别名:EDF1BM-E3/45-ND
EDF1BM-E3/45GI
EDF1BME345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880ADP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110PBF
仓库库存编号:
IRFU110PBF-ND
别名:*IRFU110PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF710PBF
仓库库存编号:
IRF710PBF-ND
别名:*IRF710PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD210PBF
仓库库存编号:
IRFD210PBF-ND
别名:*IRFD210PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF720PBF
仓库库存编号:
IRF720PBF-ND
别名:*IRF720PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR494DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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