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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMC
  
  型号：SMCG5.0A-E3/57T
  仓库库存编号：SMCG5.0A-E3/57TGICT-ND
  别名：SMCG5.0A-E3/57TGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN0545G4TA
  仓库库存编号：ZXMN0545G4CT-ND
  别名：ZXMN0545G4CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
  
  型号：CSD87588N
  仓库库存编号：296-35792-1-ND
  别名：296-35792-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR462DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR462DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR462DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR422DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR422DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR422DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 400V 450mA 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：FQS4901TF
  仓库库存编号：FQS4901TFCT-ND
  别名：FQS4901TFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
  
  型号：SMLJ48CA
  仓库库存编号：SMLJ48CABCT-ND
  别名：SMLJ48CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3525N8-G
  仓库库存编号：DN3525N8-GCT-ND
  别名：DN3525N8-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AB
  
  型号：SMLJ150CA
  仓库库存编号：SMLJ150CABCT-ND
  别名：SMLJ150CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
  
  型号：SMLJ170CA
  仓库库存编号：SMLJ170CABCT-ND
  别名：SMLJ170CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AB
  
  型号：SMLJ60CA
  仓库库存编号：SMLJ60CABCT-ND
  别名：SMLJ60CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3860
  仓库库存编号：FDD3860CT-ND
  别名：FDD3860CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8842NZ
  仓库库存编号：FDS8842NZCT-ND
  别名：FDS8842NZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMHC10A07N8TC
  仓库库存编号：ZXMHC10A07N8DICT-ND
  别名：ZXMHC10A07N8DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6875
  仓库库存编号：FDS6875CT-ND
  别名：FDS6875CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3440DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3440DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3440DV-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRPBFCT-ND
  别名：*IRFR9310TRPBF
  IRFR9310PBFCT
  IRFR9310PBFCT-ND
  IRFR9310TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），97A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SON
  
  型号：CSD16322Q5C
  仓库库存编号：296-25644-1-ND
  别名：296-25644-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7101DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7101DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7101DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP4A16KTC
  仓库库存编号：ZXMP4A16KTCCT-ND
  别名：ZXMP4A16KTCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A09GTA
  仓库库存编号：ZXMN6A09GCT-ND
  别名：ZXMN6A09GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N100TM
  仓库库存编号：FQD2N100TMCT-ND
  别名：FQD2N100TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 5VWM 25VC 8SOIC
  
  型号：NUP4201DR2G
  仓库库存编号：NUP4201DR2GOSCT-ND
  别名：NUP4201DR2GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7414DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7414DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7414DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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