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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.6W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR802DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR802DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR802DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR464DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN2540N8-G
  仓库库存编号：DN2540N8-GCT-ND
  别名：DN2540N8-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6975
  仓库库存编号：FDS6975CT-ND
  别名：FDS6975CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR DUAL 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3224TMX
  仓库库存编号：FAN3224TMXCT-ND
  别名：FAN3224TMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7630
  仓库库存编号：FDMA7630CT-ND
  别名：FDMA7630CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7848BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7848BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7848BDP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7848BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7848BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7848BDP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC510P
  仓库库存编号：FDMC510PCT-ND
  别名：FDMC510PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7421DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7421DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7421DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 400V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W04G-E4/51
  仓库库存编号：W04G-E4/51GI-ND
  别名：W04G-E4/1
  W04G-E4/1-ND
  W04G-E4/1GI
  W04G-E4/1GI-ND
  W04G-E4/1TR
  W04G-E4/1TR-ND
  W04G-E4/51GI
  W04GE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GTA
  仓库库存编号：ZVN4306GCT-ND
  别名：ZVN4306G
  ZVN4306GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 2.8VWM 21VC SOT23
  
  型号：CDSOT23-SLVU2.8
  仓库库存编号：CDSOT23-SLVU2.8CT-ND
  别名：CDSOT23-SLVU2.8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4154DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4154DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4154DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7336ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7336ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7336ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7336ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7336ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7336ADP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-08-GE3
  仓库库存编号：SUD50P04-08-GE3CT-ND
  别名：SUD50P04-08-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2582
  仓库库存编号：FDS2582CT-ND
  别名：FDS2582CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
  
  型号：CSD87330Q3D
  仓库库存编号：296-29660-1-ND
  别名：296-29660-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.2W（Ta），50W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD5690
  仓库库存编号：FDD5690CT-ND
  别名：FDD5690CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7288DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7288DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7288DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8813NZ
  仓库库存编号：FDS8813NZCT-ND
  别名：FDS8813NZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7110DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7110DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7110DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7139DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7139DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7139DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3672
  仓库库存编号：FDS3672CT-ND
  别名：FDS3672CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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