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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4141_F085
  仓库库存编号：FDS4141_F085CT-ND
  别名：FDS4141_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9020PBFCT-ND
  别名：*IRFR9020TRPBF
  IRFR9020PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD7S60
  仓库库存编号：785-1266-1-ND
  别名：785-1266-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102LZ
  仓库库存编号：FDMC86102LZCT-ND
  别名：FDMC86102LZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS892DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS892DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS892DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS443DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS443DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS443DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 121W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R2-25YL,115
  仓库库存编号：1727-4277-1-ND
  别名：1727-4277-1
  568-4909-1
  568-4909-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6500
  仓库库存编号：785-1420-1-ND
  别名：785-1420-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMN6A25DN8TA
  仓库库存编号：ZXMN6A25DN8CT-ND
  别名：ZXMN6A25DN8
  ZXMN6A25DN8-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4401BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4401BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4401BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4896DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4896DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4896DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86139P
  仓库库存编号：FDMC86139PCT-ND
  别名：FDMC86139PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7615DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7615DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7615DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6890A
  仓库库存编号：FDS6890ACT-ND
  别名：FDS6890ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18531Q5A
  仓库库存编号：296-30573-1-ND
  别名：296-30573-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-SON（5x6）
  
  型号：CSD18563Q5A
  仓库库存编号：296-36511-1-ND
  别名：296-36511-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6911
  仓库库存编号：FDS6911CT-ND
  别名：FDS6911CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） DPAK
  
  型号：STD45P4LLF6AG
  仓库库存编号：497-15965-1-ND
  别名：497-15965-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR9214TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9214TRPBFCT-ND
  别名：IRFR9214TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4421DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4421DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4421DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17573Q5B
  仓库库存编号：296-39836-1-ND
  别名：296-39836-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD18N20LZ
  仓库库存编号：FDD18N20LZCT-ND
  别名：FDD18N20LZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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