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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 30VWM 55VC DO214AB
  
  型号：STIEC45-30AS
  仓库库存编号：497-10395-1-ND
  别名：497-10395-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2734
  仓库库存编号：FDS2734CT-ND
  别名：FDS2734CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3P50TM
  仓库库存编号：FQD3P50TMCT-ND
  别名：FQD3P50TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86200
  仓库库存编号：FDMS86200CT-ND
  别名：FDMS86200CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR404DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR404DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR404DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Tj） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DN2625K4-G
  仓库库存编号：DN2625K4-GCT-ND
  别名：DN2625K4-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），113W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P06-15-GE3
  仓库库存编号：SUD50P06-15-GE3CT-ND
  别名：SUD50P06-15-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7116DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7116DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7116DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7116DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7116DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7116DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7190DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7190DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7190DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2540N8-G
  仓库库存编号：TN2540N8-GCT-ND
  别名：TN2540N8-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7812DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7812DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7812DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7812DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7812DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7812DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7905DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7905DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7905DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4943BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4943BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4943BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4423DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4423DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4423DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7997DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7997DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7997DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18502Q5B
  仓库库存编号：296-35629-1-ND
  别名：296-35629-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87350Q5D
  仓库库存编号：296-28318-1-ND
  别名：296-28318-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7178DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7178DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7178DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4434DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4434DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4434DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7135DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7135DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7135DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta）、 85A（Tc） 7.4W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6278
  仓库库存编号：785-1612-1-ND
  别名：785-1612-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4904DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4904DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4904DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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