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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4904DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4904DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4904DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：TC6320TG-G
  仓库库存编号：TC6320TG-GCT-ND
  别名：TC6320TG-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7145DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7145DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7145DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 52A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），52A（Tc） 7.4W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6250
  仓库库存编号：785-1666-1-ND
  别名：785-1666-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7137DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7137DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7137DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7141DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7141DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7141DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 830mW（Ta），104.2W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS037N08B
  仓库库存编号：FDMS037N08BCT-ND
  别名：FDMS037N08BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7469DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7469DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7469DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3572
  仓库库存编号：FDMS3572CT-ND
  别名：FDMS3572CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7164DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7164DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7164DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 125mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2540N8-G
  仓库库存编号：TP2540N8-GCT-ND
  别名：TP2540N8-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4424A
  仓库库存编号：ZVN4424A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7463DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7463DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7463DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7463DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），76A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86300DC
  仓库库存编号：FDMS86300DCFSCT-ND
  别名：FDMS86300DCFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7430DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7430DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7430DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 40A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD86350Q5D
  仓库库存编号：296-27532-1-ND
  别名：296-27532-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7650
  仓库库存编号：FDMS7650CT-ND
  别名：FDMS7650CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR882DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR882DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR882DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19531Q5AT
  仓库库存编号：296-37749-1-ND
  别名：296-37749-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  库存产品核实请求
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4472DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4472DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4472DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC SO16
  
  型号：SM1605E3/TR13
  仓库库存编号：SM1605E3MSCT-ND
  别名：SM1605E3MSCT
  SM1605MS
  SM1605MS-ND
  SM1605MSCT
  SM1605MSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7489DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7489DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7489DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR880DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR880DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR880DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
  
  型号：FDMQ8403
  仓库库存编号：FDMQ8403CT-ND
  别名：FDMQ8403CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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